Биполярные радиочастотные транзисторы
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
 | NXP USA Inc. MRFE6VP6600NR3,528 | NXP США Инк. | Масса | ШИРОКОПОЛОСНАЯ ВЧ МОЩНОСТЬ LDMOS TRANSIST |  | |
| | Амплеон США Inc. BLF521 | Амплеон США Инк. | Масса | ВЧ МАЛЫЙ СИГНАЛ ПОЛЕ-ЭФФЕКТНЫЙ ТРА | | $105,91 |
| | NXP USA Inc. MMRF5017HSR5138 | NXP США Инк. | Масса | ВЧ СИЛОВОЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНСИСТОР | | |
| | Renesas Electronics America Inc 2SC4703-T1-AZ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Масса | RF 0,15 А, СВЕРХВЫСОКИЙ ЧАСТОТНЫЙ ДИАПАЗОН | | 0,56 доллара США |
| | Renesas Electronics America Inc 2SC4784YA-TR-E | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Масса | РФ 0,02А, НПН | | 0,24 доллара США |
| | Техасские инструменты SN910214N-P | Техасские инструменты | Масса | БИПОЛЯРНЫЕ ASIC И ДРУГОЕ | | |
| | Амплеон США Inc. MZ0912B50Y | Амплеон США Инк. | Масса | ВЧ СИЛОВОЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНСИСТОР, 1-Е | | $331,25 |
| | Renesas Electronics America Inc 2SC5080ZD-TL | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Масса | РФ 0,05А, НПН | | 0,28 доллара США |
| | NXP USA Inc. BFU550W135 | NXP США Инк. | Масса | НПН ШИРОКОПОЛОСНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ РЧ ТРАНЗИСТ | | |
| | Fairchild Semiconductor MMBTH11-FS | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | RF 0,05 А, ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА БА | | |
| | Fairchild Semiconductor MMBTH10-FS | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | RF 0,05 А, СВЕРХВЫСОКИЙ ЧАСТОТНЫЙ ДИАПАЗОН | | |
| | онсеми LC945P | онсеми | Масса | SS T092 GP XSTR NPN SPCL | | 0,87 доллара США |
| | онсеми LM9014B | онсеми | Масса | СС Т092 ГП XSTR НПН 45В | | |
| | Интерсил HFA3128B | Интерсил | Масса | ВЧ МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНСИСТОР | | $5,32 |
| | Национальный полупроводник LM3086J | Национальный полупроводник | Масса | ТРАНЗИСТОР | | 1,08 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BF799WE6327 | Инфинеон Технологии | Масса | ВЧ ТРАНСИСТОР, НПН | | |
| | Инфинеон Технологии BFP182RE7764 | Инфинеон Технологии | Масса | ВЧ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНСИСТОР | | |
| | Инфинеон Технологии BF771E6765N | Инфинеон Технологии | Масса | ВЧ ТРАНСИСТОР, НПН | | 0,07 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BFR193WH6327 | Инфинеон Технологии | Масса | ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЛИНЕЙНОСТИ | | |
| | Infineon Technologies BFP740FESDH6327 | Инфинеон Технологии | Масса | ВЧ ТРАНЗИСТОР, X ДИАПАЗОН, NPN | | 0,17 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BFP490E6327 | Инфинеон Технологии | Масса | МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНСИСТОР | | 0,6 доллара США |
| | Санио 12A01C-TB-E | Саньо | Масса | ТРАНЗИСТОР | | 0,06 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BFP520FH6327 | Инфинеон Технологии | Масса | МАЛОГОШУМНЫЙ СИ ТРАНСИСТОР | | 0,16 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BFR340FH6327 | Инфинеон Технологии | Масса | МАЛОГОШУМНЫЙ ТРАНСИСТОР | | 0,09 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BFP420H6740 | Инфинеон Технологии | Масса | ВЧ ТРАНЗИСТОР, X ДИАПАЗОН, NPN | | 0,22 доллара США |
| | онсеми 15C02SS-TL-E | онсеми | Масса | ТРАНЗИСТОР | | 0,05 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BFP640E6327 | Инфинеон Технологии | Масса | ВЧ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНСИСТОР | | 0,35 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BFP420E6327 | Инфинеон Технологии | Масса | ВЧ ТРАНЗИСТОР, X ДИАПАЗОН, NPN | | 0,16 доллара США |
| | Инфинеон Технологии BFP420H6801 | Инфинеон Технологии | Масса | ВЧ ТРАНЗИСТОР, X ДИАПАЗОН, NPN | | 0,2 доллара США |
| | Infineon Technologies BFR 360L3E6765 | Инфинеон Технологии | Масса | МАЛОГОШУМНЫЙ ТРАНСИСТОР | | 0,1 доллара США |