聚丙烯膜电容(CBB) — Поиск электронных компонентов — Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

聚丙烯膜电容(CBB)

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
330nF ±10% 700V 2kV 330нФ ±10% 700В 2кВ ВИШАЙ (威世) - 330nF ±10% 700V 2kV
330nF ±10% 700V 330нФ ±10% 700В Иллинойс Конденсатор - 330nF ±10% 700V
330nF ±10% 700V 2kV 330нФ ±10% 700В 2кВ ТДК - 330nF ±10% 700V 2kV
330nF ±10% 700V 330нФ ±10% 700В Иллинойс Конденсатор - 330nF ±10% 700V
330nF ±10% 700V 2kV 330нФ ±10% 700В 2кВ ВИШАЙ (威世) - 330nF ±10% 700V 2kV
330nF ±10% 700V 2kV 330нФ ±10% 700В 2кВ ВИШАЙ (威世) - 330nF ±10% 700V 2kV
330nF ±10% 700V 2kV 330нФ ±10% 700В 2кВ ВИШАЙ (威世) - 330nF ±10% 700V 2kV
330nF ±10% 700V 330нФ ±10% 700В ВИМА - 330nF ±10% 700V
330nF ±10% 700V 400V 330нФ ±10% 700В 400В Ничикон (尼吉康) - 330nF ±10% 700V 400V
330nF ±10% 1kV 330нФ ±10% 1кВ ГДХИ (广东华裕) - 330nF ±10% 1kV
330nF ±10% 1kV 330нФ ±10% 1кВ ГДХИ (广东华裕) - 330nF ±10% 1kV
330nF ±10% 1kV 350V 330нФ ±10% 1кВ 350В ВИШАЙ (威世) - 330nF ±10% 1kV 350V
330nF ±10% 600V 1kV 330нФ ±10% 600В 1кВ ВИШАЙ (威世) - 330nF ±10% 600V 1kV
330nF ±10% 1kV 350V 330нФ ±10% 1кВ 350В ВИШАЙ (威世) - 330nF ±10% 1kV 350V
330nF ±10% 1kV 330нФ ±10% 1кВ Иллинойс Конденсатор - 330nF ±10% 1kV
330nF ±10% 1kV 330нФ ±10% 1кВ Иллинойс Конденсатор - 330nF ±10% 1kV
330nF ±10% 1kV 330нФ ±10% 1кВ Иллинойс Конденсатор - 330nF ±10% 1kV
330nF ±10% 500V 1kV 330нФ ±10% 500В 1кВ CDE - 330nF ±10% 500V 1kV
330nF ±10% 1.2kV 580V 330нФ ±10% 1,2кВ 580В CDE - 330nF ±10% 1.2kV 580V
330nF ±10% 1.2kV 630V 330нФ ±10% 1,2кВ 630В Ничикон (尼吉康) - 330nF ±10% 1.2kV 630V
330nF ±10% 630V 1.2kV 330нФ ±10% 630В 1,2кВ Ничикон (尼吉康) - 330nF ±10% 630V 1.2kV
330nF ±10% 1.2kV 500V 330нФ ±10% 1,2кВ 500В CDE - 330nF ±10% 1.2kV 500V
1uF ±10% 1 мкФ ±10% ВИШАЙ (威世) - 1uF ±10%
330nF ±20% 160V 250V 330нФ ±20% 160В 250В ВИШАЙ (威世) - 330nF ±20% 160V 250V
220nF ±10% 700V 2kV 220нФ ±10% 700В 2кВ Ничикон (尼吉康) - 220nF ±10% 700V 2kV
220nF ±10% 700V 2kV 220нФ ±10% 700В 2кВ ВИМА - 220nF ±10% 700V 2kV
220nF ±10% 500V 2kV 220нФ ±10% 500В 2кВ CDE - 220nF ±10% 500V 2kV
150nF ±5% 450V 1.25kV 150нФ ±5% 450В 1,25кВ ВИШАЙ (威世) - 150nF ±5% 450V 1.25kV
150nF ±5% 450V 1.25kV 150нФ ±5% 450В 1,25кВ ВИШАЙ (威世) - 150nF ±5% 450V 1.25kV
150nF ±5% 450V 1.6kV 150нФ ±5% 450В 1,6кВ ВИШАЙ (威世) - 150nF ±5% 450V 1.6kV