聚丙烯膜电容(CBB) — Поиск электронных компонентов — Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Chips_img

聚丙烯膜电容(CBB)

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Больше продуктов

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
MMKP82 563J2000V 56nF ±5% 谐振/吸收电容 ММКП82 563J2000В 56нФ ±5% КЬЕТ (科雅) - MMKP82 563J2000V 56nF ±5% 谐振/吸收电容
CBB20H 474J1200VDC 0.47uF ±5% 吸收电容 CBB20H 474J1200 В постоянный ток 0,47 мкФ ±5 % КЬЕТ (科雅) - CBB20H 474J1200VDC 0.47uF ±5% 吸收电容
470pF ±5% 63V 100V 470пФ ±5% 63В 100В ВИМА - 470pF ±5% 63V 100V
9.1nF ±3% 1kV 9,1 нФ ±3% 1 кВ ПАНАСОНИК(松下) - 9.1nF ±3% 1kV
9.1nF ±5% 1.6kV 550V 9,1 нФ ±5% 1,6 кВ 550 В ВИШАЙ (威世) - 9.1nF ±5% 1.6kV 550V
9.1nF ±5% 450V 1.25kV 9,1 нФ ±5% 450 В 1,25 кВ ВИШАЙ (威世) - 9.1nF ±5% 450V 1.25kV
9.1nF ±5% 630V 220V 9,1 нФ ±5% 630 В 220 В ВИШАЙ (威世) - 9.1nF ±5% 630V 220V
1nF ±5% 630V 250V 1 нФ ±5% 630 В 250 В ВИШАЙ (威世) - 1nF ±5% 630V 250V
1nF ±5% 630V 250V 1 нФ ±5% 630 В 250 В КЕМЕТ (基美) - 1nF ±5% 630V 250V
2.2nF ±10% 630V 250V 2,2 нФ ±10 % 630 В 250 В CDE - 2.2nF ±10% 630V 250V
2.2nF ±10% 700V 2kV 2,2 нФ ±10 % 700 В 2 кВ КЕМЕТ (基美) - 2.2nF ±10% 700V 2kV
2.2nF ±10% 160V 250V 2,2 нФ ±10 % 160 В 250 В ВИМА - 2.2nF ±10% 160V 250V
470pF ±5% 250V 400V 470пФ ±5% 250В 400В КЕМЕТ (基美) - 470pF ±5% 250V 400V
0.22uFK330VAC 18x12x6 P15 L8 0,22uFK330 В переменного тока 18x12x6 P15 L8 江北振华 - 0.22uFK330VAC 18x12x6 P15 L8
0.47K275V 18x16x10 P15 L3.5 0,47К275В 18х16х10 П15 Л3,5 江北振华 - 0.47K275V 18x16x10 P15 L3.5
0.22uFK330VAC 26.5x16.5x7 P22.5 L3 0,22uFK330 В переменного тока 26,5x16,5x7 P22,5 L3 江北振华 - 0.22uFK330VAC 26.5x16.5x7 P22.5 L3
W312H335KS8L00A00C W312H335KS8L00A00C ВЕЙДИ (纬迪) - W312H335KS8L00A00C
薄膜电容 薄膜电容 ВЧ (宏发) - 薄膜电容
W312J475JR9L00A0FC W312J475JR9L00A0FC ВЕЙДИ (纬迪) - W312J475JR9L00A0FC
W313D104JV8L00A0RC W313D104JV8L00A0RC ВЕЙДИ (纬迪) - W313D104JV8L00A0RC
W312J475JS9L00A0FC W312J475JS9L00A0FC ВЕЙДИ (纬迪) - W312J475JS9L00A0FC
W312G685KS8SA1C0EC W312G685KS8SA1C0EC ВЕЙДИ (纬迪) - W312G685KS8SA1C0EC
0.39uFK330VAC 26.5x19x10 P22.5 L 0,39 мкФК330 В переменного тока 26,5х19х10 Р22,5 л 江北振华 - 0.39uFK330VAC 26.5x19x10 P22.5 L
W312H335JS8L00A00C W312H335JS8L00A00C ВЕЙДИ (纬迪) - W312H335JS8L00A00C
W312G685JS8SA1C0EC W312G685JS8SA1C0EC ВЕЙДИ (纬迪) - W312G685JS8SA1C0EC
W143D103KR8L00A00W W143D103KR8L00A00W ВЕЙДИ (纬迪) - W143D103KR8L00A00W
1UFK275V 26x22x12 P23 L3.5 1УФК275В 26х22х12 П23 Л3,5 江北振华 - 1UFK275V 26x22x12 P23 L3.5
MMKP82 474J630V 0.47uF ±5% 谐振/吸收电容 MMKP82 474J630V 0,47 мкФ ±5% 谐振/吸收电容 КЬЕТ (科雅) - MMKP82 474J630V 0.47uF ±5% 谐振/吸收电容
MPB 475K450V 4.7uF ±10% 盒装电容 МПБ 475К450В 4,7 мкФ ±10% 盒装电容 КЬЕТ (科雅) - MPB 475K450V 4.7uF ±10% 盒装电容
MMKP82 683J1000V 68nF ±5% 谐振/吸收电容 ММКП82 683J1000В 68нФ ±5% КЬЕТ (科雅) - MMKP82 683J1000V 68nF ±5% 谐振/吸收电容
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.