product_banner

Chips_img

Аксель

Ингрированая сэма (так -а -а -ай -айпой -али -микроипром) МАЛЕЙНКОЙ ПЛОСКОЙСКОЙ (ИЛИ «ИП») СПОЛУПРОВОВОДОДЕКОВОВОМ. Ингразия лозунга. Весели, и я Чipsы ic naryodypse -nalyshikik walchips electronics. Allchips opredlageot invennathriзaцiю, цenoosobraзovanie ytablyцы daannnыхdnnых dlapovow- ic. Верно, я, то, что, то, что, просмотриот и бульол

Болх

Продукт	Nomer чaSti	Проиджодели	Упако	Описани	Техниль	RFQ
	ETA EM12-T00-000-GND-40A	ETA	МАССА	Модепитания		$ 18,39
	ETA PM12-T02-00-LAOD-20A	ETA	МАССА	Артоматиский		$ 44,29
	ETA PM12-T01-00-LAOD-20A	ETA	МАССА	Артоматиский		$ 44,29
	IDEC NRF-M	IDEC	МАССА	Adaperperхnostnogogogogogospleplenipya		$ 2,7
	IDEC NR23	IDEC	МАССА	Плагин-модулб		$ 11,38
	IDEC NUS3	IDEC	МАССА	Я		$ 12,67
	IDEC NC9Z-MA11	IDEC	МАССА	Зaщitnik sхemы
	IDEC NR4	IDEC	МАССА	Адапер сэмель		$ 1,45
	TCSCN1V224KAAR	Xilinx	Формована	220NF 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-MIN 18OM ON POLAR GOUNDED
	TCSCS0J476KCAR	Xilinx	Формована	47 мкф 10% 125 ° C-макс -55 ° C-мимина 1,6о 2-корена
	TCSCS0J685KAAR	Xilinx	-	6,8 мкф 2-коренаполяриовананнантал (SUхOй/TWERDый) 0,0005 MA
	TCSCS1A107MCAR	Xilinx	Формована	100 мкф 20% 125 ° C-MAX -55 ° C-мимина 1,2 om 2-конэвол
	TCSCS1A226KCAR	Xilinx	Формована	22 мкф 10% 125 ° C-Max -55 ° C-мимина 1,8 om 2-onцelюsnoйpolayriзowannnыйtantal (cyхoй/twerdый) 0,0022ma
	TCSCN1C335KBAR	Xilinx	Формована	3,3 мкф 10% 125 ° C-макс -55 ° C-мимина 3,5 om 2-конэл-сэл-айрно-тантал (cuхoй/twerdый) 0,0005ma.
	TCSCS1C226KBAR	Xilinx	Формована	22 мкф 10% 125 ° C-макс -55 ° C-мимин 2,3 om 2-корен
	TCSCN1D684KAAR	Xilinx	Формована	680NF 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-MIN 12 ОМ 2-КОН
	TCSCS0J107MBAR	Xilinx	Формована	100 мкф 20% 125 ° C-макс -55 ° C-мимина 800-маом 2-то 2-то-тонски
	TCSCN1V335KCAR	Xilinx	Формована	3,3 мкф 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-мимина 2,5 om 2-onцewoйpolarnoй tantalaol (suхoй/twerdый) 0 0012ma
	TCSCS1E225KAAR	Xilinx	Формована	2,2 мкф 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-мимин 6om Полярная форма
	TCSCS0J336KAAR	Xilinx	3216-18	33 мкф 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-Min 2OM 2-тота 2-тота
	TCSCN1C105MAAR	Xilinx	Формована	1 мкф 20% 125 ° C-MAX -55 ° C-MIN 10OM ON POLARLENTAI-и иормованая
	TCSCS0J227MCAR	Xilinx	Формована	220 мкф 20% 125 ° C-MAX -55 ° C-мимина 600 мон
	TCSCS1E226KCAR	Xilinx	Формована	22 мкф 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-MIMIMIN 1,2 ОМ 2-КОНЕПОЛА
	TCSCS0J476KBAR	Xilinx	Формована	47 мкф 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-мимина 1,3 омола
	TCSCS1A227MDAR	Xilinx	Формована	220 мкф 20% 125 ° C-MAX -55 ° C-мимина 400-мам 2-тота 2-то-тона		$ 0,14
	TCSCS1D107KDAR	Xilinx	7343-31	100 мкф 10% 125 ° C-макс -55 ° C-мимина 900-мам 2-terminapolairnogogogohotantalalala (Suхohoй/thurdый)
	TCSCS1A685MBAR	Xilinx	Формована	6,8 мкф 20% 125 ° C-MAX -55 ° C-мимина 3,5 om 2-perenosnoйpolariзowannnыйtantal (cuхoх/twerdый)
	TCSCS1C226KCAR	Xilinx	Формована	22 мкф 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-мимина 1,6 ompolarnoй liToй		$ 0,16
	TCSCS0J106KAAR	Xilinx	Формована	10 мкф 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-MIN 4OM POLAR TAPE & PUCE
	TCSCS1V225KBAR	Xilinx	Формована	2,2 мкф 10% 125 ° C-MAX -55 ° C-мимина 4,2 om-ol-