Отджон
Ингеррованая сэма (так -а -а -ай -айпой илиикразипом). МАЛЕЙНКОЙ ПЛОСКОЙСКОЙ (ИЛИ «ИП») СПОЛУПРОВОВОДОДЕКОВОВОМ. Ингразия лозунга. Весели, и я Чipsы ic naryodypse -nalyshikik walchips electronics. Allchips opredlageot invennathriзaцiю, цenoosobraзovanie ytablyцы daannnыхdnnых dlapovow- ic. Верно, я, то, что, то, что, просмотриот и я, я,
| Продукт | Nomer чaSti | Проиджодели | Упако | Описани | Техниль | RFQ |
| | NXP USA Inc. BYC8-600,127 | NXP USA Inc. | МАССА | Diode Rect 600V 8A SOT78 |  | $ 0,38 |
| | NXP USA Inc. BYC58X-600,127 | NXP USA Inc. | МАССА | Diod 600 v 8a do 220f Sod113 | | $ 0,63 |
| | NXP USA Inc. BYV25G-600,127 | NXP USA Inc. | МАССА | DIOD 600V I2PAK | | $ 0,37 |
| | NXP USA Inc. 1PS76SB70,115 | NXP USA Inc. | МАССА | Диджотки 70V 70ma sc76 | | $ 0,04 |
| | NXP USA Inc. 1PS70SB10,115 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 30 v 0,2a SOT323 | | $ 0,03 |
| | NXP USA Inc. 1PS76SB10,115 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 30 v 0,2а SOD323 | | |
| | NXP USA Inc. PMEG2010ET, 215 | NXP USA Inc. | МАССА | Дидж 236 | | |
| | NXP USA Inc. PMEG2010EV, 115 | NXP USA Inc. | МАССА | Диджотки 20 - 1а SOT666 | | $ 0,05 |
| | NXP USA Inc. PMEG3002ALE, 315 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 30 v 0,2а SOD882 | | |
 | NXP USA Inc. PMEG2005ELD, 315 | NXP USA Inc. | МАССА | Диджотки 20 v 0,5A SOD882D | | |
| | NXP USA Inc. PMLL4153,115 | NXP USA Inc. | МАССА | Diodnoe -pereklючeneenee 50 v 0,2A llds | | $ 0,02 |
| | NXP USA Inc. PMEG3002ALD, 315 | NXP USA Inc. | МАССА | Диджотки 30- 0,2а SOD882D | | $ 0,04 |
| | NXP USA Inc. PMEG2005CT, 215 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 20 - 500 май, 236 | | |
| | NXP USA Inc. PMLL4148L, 135 | NXP USA Inc. | МАССА | Diodnoe -pereklючeneenee 75 v 0,2a llds | | |
| | NXP USA Inc. PMEG3005EJ, 115 | NXP USA Inc. | МАССА | Диджотки 30 v 0,5A SOD323F | | $ 0,05 |
| | NXP USA Inc. PMEG4002ELD, 315 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 40,0,2a Sod882d | | |
| | NXP USA Inc. PMEG3005EL, 315 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 30 v 0,5а SOD882 | | |
| | NXP USA Inc. PMBD914,235 | NXP USA Inc. | МАССА | Диднн -псекл -аэлб 100 ЕС 0,215A 236AB | | $ 0,02 |
| | NXP USA Inc. BAT854W, 115 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 40,0,2A SOT323 | | $ 0,03 |
| | NXP USA Inc. PMEG2005EJ, 115 | NXP USA Inc. | МАССА | Диджотки 20 v 0,5A SOD323F | | $ 0,05 |
| | NXP USA Inc. BAS40H, 115 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 40,0,12A SOD123F | | $ 0,03 |
| | NXP USA Inc. BAS40,215 | NXP USA Inc. | МАССА | Диаттки 40 v 0,12A 236 | | $ 0,02 |
| | NXP USA Inc. BAS316,135 | NXP USA Inc. | МАССА | Diodnыйpereklючolesh 100- 0,25 AOD323 | | |
| | NXP USA Inc. BAV20,113 | NXP USA Inc. | МАССА | Диджодэклёни 150, 0,25 Альф2 | | $ 0,02 |
| | NXP USA Inc. BAS40-04,235 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 40 40-май | | |
| | NXP USA Inc. BAS40W, 115 | NXP USA Inc. | МАССА | Диди 40,0,12A SOT323 | | $ 0,03 |
| | NXP USA Inc. PMEG2005EL, 315 | NXP USA Inc. | МАССА | Диджотки 20- 0,5а SOD882 | | $ 0,05 |
| | NXP USA Inc. BAT85,113 | NXP USA Inc. | МАССА | Дидж, 30, 0,2а do34 | | $ 0,05 |
| | NXP USA Inc. PMBD914,215 | NXP USA Inc. | МАССА | Diode SW DBL 70V 215MA SOT23 | | |
| | NXP USA Inc. BAT86,113 | NXP USA Inc. | МАССА | Диджотки 50 n 200 мам do-34 | | $ 0,08 |