Одино -впол
Ингрированая сэма (так -а -а -ай -айпой -али -микроипром) МАЛЕЙНКОЙ ПЛОСКОЙСКОЙ (ИЛИ «ИП») СПОЛУПРОВОВОДОДЕКОВОВОМ. ИНГЕРЕЙСКОНА БОЛЕГА Весели, и я Чipsы ic naryodypse -nalyshikik walchips electronics. Allchips opredlageot invennathriзaцiю, цenoosobraзovanie ytablyцы daannnыхdnnых dlapovow- ic. Верно, я, то, что, то, что, просмотриот и я, я,
| Продукт | Nomer чaSti | Проиджодели | Упако | Описани | Техниль | RFQ |
| | Nuvoton Technology Corporation FK3306010L | Nuvoton Technology Corporation | Lenta и катахка (tr) | Tmos-generalnый-pereklючenieene |  | $ 0,1 |
| | RENESAS RQA0009TXDQS#H1 | RerneзAs | МАССА | Rqa0009txdqs - n -Kanalnь mosfet | | |
| | RENESAS RJK0603DPN-E0#T2 | RerneзAs | МАССА | RJK0603DPN -E0 - NCH Единственная мощность | | |
| | Nuvoton Technology Corporation KFJ4B01100L | Nuvoton Technology Corporation | Lenta и катахка (tr) | TMOS | | $ 0,37 |
| | Менународнн | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МАССА | Потретел | | |
| | Nexperia USA Inc. BSS138BKS/S500X | Nexperia USA Inc. | МАССА | Bss138bks/x - pole nebolshogogo -signala | | |
| | RENESAS RJK5035DPP-E0#T2 | RerneзAs | МАССА | RJK5035DPP -E0 - NCH Single Power | | |
| | RENESAS 2SK1591W-T1B-A | RerneзAs | МАССА | 2SK1591 - Мохнамомосфут -дл. | | |
| | RENESAS 2SK4070-ZK-E1-AY | RerneзAs | МАССА | 2SK4070-Zk-pereklючeniee n-Kanala | | |
| | RENESAS 2SK2055-T1-AZ | RerneзAs | МАССА | 2SK2925 - Мохан -мосфут | | |
| | Nexperia USA Inc. PMPB27EP/S500X | Nexperia USA Inc. | МАССА | PMPB27EPX - P -KANOL MOSFET | | $ 0,11 |
| | Fairchild Semiconductor FQPF15P12 | Fairchild Semiconductor | МАССА | TranhyStor -s эnergeTiчeskym vvoзdeйtwiem, 1 | | |
| | RENESAS 2SK3366-AZ | RerneзAs | МАССА | 2SK3366 - NCH Single Power Mosfe | | |
| | Nexperia USA Inc. PMPB10XNE/S500Z | Nexperia USA Inc. | МАССА | PMPB10XN - n -KANOL MOSFET | | $ 0,12 |
| | ONSEMI 2SJ339 | OnSemi | МАССА | 2SJ339 - 25a, 60 v, 0,055ohm, pp | | $ 104 |
| | ONSEMI 2SK2010 | OnSemi | МАССА | 4a, 250 v, 0,7 om, n-kanalnый mosf | | $ 104 |
| | RENESAS 2SJ179-T2-AZ | RerneзAs | МАССА | 2SJ179 - Мохан -мосфут | | |
| | ONSEMI 2SJ306 | OnSemi | МАССА | 3A, 250V, 2OM, P-KANALNь MOSFET | | $ 0,52 |
| | RENESAS 2SK425-T1B-A | RerneзAs | МАССА | 2sk425 - pereklючeneere n -kanalnogogo pow | | |
| | Renesas 2SK3354 (0) -z-e1-ay | RerneзAs | МАССА | 2SK3354 - NCH Single Power Mosfe | | |
| | Renesas 2sk2858 (0) -t1 -at | RerneзAs | МАССА | D73032F16V - Мохна | | |
| | Nexperia USA Inc. PMZ320UPE/S500YL | Nexperia USA Inc. | МАССА | Pmz320upey/l - p -канал mosfet | | $ 0,04 |
| | Infineon Technologies IPP0400NXKSA1 | Infineon Technologies | МАССА | Ipp0400 - n -Kanalhnый mosfet | | $ 0,51 |
| | RENESAS 2SK3813-AZ | RerneзAs | МАССА | DF3064BFI25V - NCH Single Power | | |
| | Goford Semiconductor G75P04Ki | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | P-40V, -70A, RD (MAX) <6,5 м@-10V, VTH | | $ 0,38 |
| | Goford Semiconductor G08N02L | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N20V, 8A, Rd <12,3 м@4,5 v, vth0,5 ~ | | $ 0,09 |
| | Infineon Technologies IPA50R280E6 | Infineon Technologies | МАССА | IPA50R280 - 500V, Coolmos n -Chan | | $ 0,94 |
| | GOFORD SEMICONDUCTOR GT100N04K | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N40V, 50a, Rd <10m@10V, VTH1.2V ~ 2,2 В. | | $ 0,16 |
| | Goford Semiconductor G1007 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N100V, 7A, Rd <110m@10V, VTH1.0V ~ 3,0 | | $ 0,13 |
| | GOFORD SEMICONDUCTOR G08N03D2 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N30V, 8A, Rd <20m@10V, VTH1.0V ~ 2,0V, | | $ 0,1 |