Фет, МАССИВ МОСФЕТ
Ингеррованая сэма (так -а -а -ай -айпой илиикразипом). МАЛЕЙНКОВАЯ ПЛОСКОХАЯ (ИЛИ «ИП») СПОЛУПРОВОВОДОДОКОВОВОЙ. Ингразия лозунга. Весели, и я Чipsы ic naryodypse -nalyshikik walchips electronics. Allchips opredlageot invennathriзaцiю, цenoosobraзovanie ytablyцы daannnыхdnnых dlapovow- ic. Верно, я, то, что, то, что, просмотриот и я, я,
| Продукт | Nomer чaSti | Проиджодели | Упако | Описани | Техниль | RFQ |
| | DIODы КЛАЛИ DMN33D8LVQ-13 | Дидж | Lenta и катахка (tr) | Mosfet Bvdss: 25 ~ 30 vot563 t & r |  | $ 0,45 |
 | Diodы klючali dmn203030CA4-7 | Дидж | МАССА | Mosfet Bvdss: 8 ~ 24 in x4-dsn1111- | | $ 0,14 |
| | Diodы-klючali dmp31d7lvq-13 | Дидж | Lenta и катахка (tr) | Mosfetbvdss: 8 ~ 24VSOT563T & R10K | | $ 0,45 |
| | Wolfspeed, Inc. Cab006m12gm3t | Wolfspeed, Inc. | Коробка | 6m, 1200v, sic moduue, 48mm, hal | | $ 329,77 |
| | Wolfspeed, Inc. CCB032M12FM3T | Wolfspeed, Inc. | Коробка | 32 м, 1200В, Модуль, 33,8 мм, | | $ 188,18 |
| | Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L, EFF | Toshiba semiconductor и хraneneee | Lenta и катахка (tr) | 12V Common Drain Mosfet RSS (ON): | | $ 1,37 |
| | Wolfspeed, Inc. CAS110M12BM2 | Wolfspeed, Inc. | МАССА | Sic, momodooly, 110a, 1200 v, 62 мм, | | $ 521,42 |
| | Goford Semiconductor G05NP06S2 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | NP60V, 5A/-3,1A, Rd<36m> | | $ 0,16 |
| | Goford Semiconductor G800N06S2 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N60V, 3A, Rd <80 м@10 В, vTH0,7 -~ 1,2 В. | | $ 0,09 |
| | Goford Semiconductor G60N04D52 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N40V, 35A, Rd <9m@10V, VTH1.0V ~ 2,5 v. | | $ 0,27 |
| | GOFORD Semiconductor G4953S | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | P+p -30v, rd (mmaks) <60m@-10v, rd (Mmaks | | $ 0,09 |
| | Goford Semiconductor 6706a | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N/P30V, 6.5A/-5A, RD (MMAKS)<20m> | | $ 0,09 |
| | GOFORD Semiconductor G33N03D3 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N30V, RD (MAX) <12M@10V, RD (MAX) <13M | | $ 0,14 |
| | GOFORD SEMICONDUCTOR G120P03S2 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | P-30V, -16a, Rd (max) <14m@-10v, VTH- | | $ 0,24 |
| | GOFORD SEMICONDUCTOR G1K2C10S2 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | Np100v, 3a, rd <130m@10v, rd <200m@- | | $ 0,19 |
| | Diotecpoluprovodonok di4a7p06sq2 | DIOTEC Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | МОС, SO -8, -60V, -4,7A, 150C | | |
| | DIOTEC Semiconductor MMBT7002KDW-AQ | DIOTEC Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | Mosfet sot363 n+n 60 v 3 om 150c | | |
| | DIOTEC Semiconductor DI7A6N04SQ2 | DIOTEC Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | МОСФЕТ SO8 N 40 Е В 0,028M 150C | | |
| | DIOTEC Semiconductor DI005N06SQ2 | DIOTEC Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | Mosfet, SO-8, 60V, 5A, 150C, 0 | | |
| | Тайна в положении | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | Lenta и катахка (tr) | -60v, -18a, DopolniTeLNANANV | | $ 104 |
| | Taiwan Semiconductor Corporation TSM4953DCS | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | Lenta и катахка (tr) | -33 | | $ 0,63 |
| | Тайна, аполюпрововоджо в коры | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | Lenta и катахка (tr) | -30V, -7.1a, DVOйNOй P -KANOL POWE | | $ 1,17 |
| | Taiwan Semiconductor Corporation TSM4946DCS | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | Lenta и катахка (tr) | 60 v, 4,5A, демоян. | | $ 0,72 |
| | onsemi ntmfd1d6n03p8 | OnSemi | Lenta и катахка (tr) | Pt8 N-CH Dual 30 | | 159 долларов |
| | Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06LDCR | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | Lenta и катахка (tr) | 60 v, 29а, дюйна-каналана. | | $ 1,14 |
| | Diodы-klючali dmc62d2sv-7 | Дидж | Lenta и катахка (tr) | Mosfet Bvdss: 41 h ~ 60 vot563 t & r | | $ 0,07 |
| | DioDы | Дидж | Lenta и катахка (tr) | Mosfet Bvdss: 25 В ~ 30В Powerdi333 | | $ 0,98 |
| | Goford Semiconductor G4614 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | MOSFET N+P-CH 40V/-40V 6A/-7A SO | | $ 0,47 |
| | ROHM Semiconductor UT6ME5TCR | ROHM Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | 100 В 2,0A/1,0A, DVOйNOй NCH+PCH, DF | | $ 0,65 |
| | onsemi nvmfd5877nlwft1g-um | OnSemi | МАССА | MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL | | |