Фете, mopetы.
Ингеррованая сэма (так -а -а -ай -айпой илиикразипом). МАЛЕЙНКОВАЯ ПЛОСКОХАЯ (ИЛИ «ИП») СПОЛУПРОВОВОДОДОКОВОВОЙ. ИНГЕРЕЙСКОНА БОЛЕГА Весели, и я Чipsы ic naryodypse -nalyshikik walchips electronics. Allchips opredlageot invennathriзaцiю, цenoosobraзovanie ytablyцы daannnыхdnnых dlapovow- ic. Верно, я, то, что, то, что, просмотриот и я, я,
| Продукт | Nomer чaSti | Проиджодели | Упако | Описани | Техниль | RFQ |
| | GOFORD Semiconductor G16P03D3 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | P30V, RD (MAX) <12M@-10V, RD (MAX) <18 |  | $ 0,61 |
| | Goford Semiconductor G01n20le | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N200V, RD (MMAKS) <850M@10V, RD (MAX) <9 | | $ 0,41 |
| | GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06S | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N60V, RD (MAX) <15M@-4,5V, RD (MAX) <1 | | $ 0,73 |
| | GOFORD SEMICONDUCTOR GT52N10D5 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N100V, RD (MAX) <7,5 м@10 v, Rd (max) <1 | | $ 1,5 |
| | Goford Semiconductor G1003a | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | N100V, RD (MAX) <210M@10V, RD (MAX) <2 | | $ 0,43 |
| | GOFORD SEMICONDUCTOR G65P06D5 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | P60V, RD (MAX) <18M@-10V, VTH-2V ~ -3V | | $ 1,12 |
| | ONSEMI NVD5890NT4G-VF01 | OnSemi | Lenta и катахка (tr) | NVD5890 - Power MOSFET 40V, 123A | | |
 | NXP USA Inc. A3I35D025GNR1 | NXP USA Inc. | Lenta и катахка (tr) | RF MOSFET LDMOS TO270-17 | | |
| | QORVO UJ4SC075009K4S | Qorvo | Трубка | 750V/9MOM, SIC, SCLOжNый KASKAD | | $ 37,11 |
| | Panjit International Inc. PJA138K_R1_00001 | Panjit International Inc. | Lenta и катахка (tr) | SOT-23, MOSFET | | $ 0,21 |
| | Toshiba Semiconductor and Storage TK6R8A08QM, S4X | Toshiba semiconductor и хraneneee | Трубка | UMOS10 до-220SIS 80 В 6,8moх | | $ 1,21 |
| | Panjit International Inc. PJA3415_R1_00001 | Panjit International Inc. | Lenta и катахка (tr) | SOT-23, MOSFET | | $ 0,37 |
| | Stmicroelectronics scth70n120g2v-7 | Stmicroelectronics | Lenta и катахка (tr) | Кремни. | | $ 31,38 |
| | Goford Semiconductor 2302 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | МОСФЕТ N-CH 20 В 4,3А SOT-23 | | $ 0,41 |
| | Goford Semiconductor 3401 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | МОСФЕТ P-CH 30 В 4,2A SOT-23 | | $ 0,43 |
| | Goford Semiconductor G6N02L | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L | | $ 0,41 |
| | Goford Semiconductor G2304 | Goford Semiconductor | Lenta и катахка (tr) | MomoSpeT n-ch 30 В 3,6A SOT-23 | | $ 0,44 |
| | NXP USA Inc. CLF1G0035-100PU | NXP USA Inc. | МАССА | RF MOSFET GAN HEMT 50V LD | | $ 263,33 |
| | NXP USA Inc. BUK6607-55C, 118 | NXP USA Inc. | МАССА | Тепрей nexperia buk6607-55c - 100a, | | $ 0,85 |
| | Менународн | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МАССА | Auirlu3114Z-20V-40V N-KANALL | | $ 1,14 |
| | NXP USA Inc. BUK7611-55A, 118 | NXP USA Inc. | МАССА | Тепрема nexperia buk7611-55a - 75a, | | $ 0,56 |
| | NXP USA Inc. BLF6G13LS-250p, 112 | NXP USA Inc. | МАССА | RF MOSFET LDMOS 50V LD | | $ 215,66 |
| | NXP USA Inc. BUK765R2-40B, 118 | NXP USA Inc. | МАССА | Траншистор> 30 мг | | $ 0,79 |
| | Freescale Semiconductor AFT20S015NR1 | Freescale Semiconductor | МАССА | RF MOSFET LDMOS 28 В. 270-2 | | $ 18,95 |
| | NXP USA Inc. BLF578XR, 112 | NXP USA Inc. | МАССА | RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A | | $ 384,58 |
| | NXP USA Inc. BLF8G27LS-100V, 112 | NXP USA Inc. | МАССА | RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6 | | $ 52,4 |
| | NXP USA Inc. BLF6G27LS-40P, 112 | NXP USA Inc. | МАССА | RF MOSFET LDMOS 28 В LD | | $ 75,62 |
| | NXP USA Inc. BLF8G27LS-100V, 118 | NXP USA Inc. | МАССА | RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6 | | $ 57,23 |
| | NXP USA Inc. BUK7E3R5-60E, 127 | NXP USA Inc. | МАССА | Траншистор> 30 мг | | $ 0,95 |
| | NXP USA Inc. BLF8G09LS-400PGWQ | NXP USA Inc. | МАССА | RF MOSFET LDMOS 28V CDFM8 | | $ 80,14 |