电容
Ингеррованая сэма (так -а -а -ай -айпой илиикразипом). МАЛЕЙНКОВАЯ ПЛОСКОХАЯ (ИЛИ «ИП») СПОЛУПРОВОВОДОДОКОВОВОЙ. Ингразия лозунга. взволнованный Чipsы ic naryodypse -nalyshikik walchips electronics. Allchips opredlageot invennathriзaцiю, цenoosobraзovanie ytablyцы daannnыхdnnых dlapovow- ic. Верно, я, то, что, то, что, просмотриот и я, я,
Болх
- Лейт, Клег, Материал
- Rf/if и rfid
- Кайли, Провода
- ИНДУКТОР, КАРУГИКИ, ДУИС
- Аппаратно, как -то, что
- Дюигали, Прриводу
- Ингрированан
- Пепьяки - Креплэни.
- MAGNETICA - TRANSFORMAOROR, Компонент -индуктора
- Промая Аатоматихаия
- ДОСКИ РУСАНКОТКИ
- Петеренгиоматр
- 电阻
- Audio oprodukship
- Оптика
- Rrahemы, whimodeйstwie
| Продукт | Nomer чaSti | Проиджодели | Упако | Описани | Техниль | RFQ |
| | 5pf 25В | Walsin (华新科) | - |  | | |
| | 5pf 100В | TDK | - | | | |
| | 12 мктив ± 10% 1,1 К. | TDK | - | | | |
| | 5pf 50 В | Walsin (华新科) | - | | | |
| | 12 UF ± 20% 15 | Виал (威世) | - | | | |
| | 12 UF ± 10% 50 | Виал (威世) | - | | | |
| | 5pf 50 В | Тайс (太诱) | - | | | |
| | 12 UF ± 20% 80 В | Rubycon (红宝石) | - | | | |
| | 12 UF ± 5% 500 В 250 | Виал (威世) | - | | | |
| | 12 мктив ± 5% 1,2 К. | Виал (威世) | - | | | |
| | 12 мктив ± 10% 1,1 К. | TDK | - | | | |
| | 1,4 пт | Мурата (村田) | - | | | |
| | 1,4 пт 50в | NoUlз (楼氏) | - | | | |
| | 1,4 пт | Виал (威世) | - | | | |
| | 1,4 пт 50в | NoUlз (楼氏) | - | | | |
| | 1,4 пт 250 | Виал (威世) | - | | | |
| | 1,4 пт 50в | NoUlз (楼氏) | - | | | |
| | 1,4 пт 50в | Виал (威世) | - | | | |
| | 1,4 м. 100В | NoUlз (楼氏) | - | | | |
| | 1,4pf 200v | Виал (威世) | - | | | |
| | 1,4 пт 150 | NoUlз (楼氏) | - | | | |
| | 1,4pf 200v | NoUlз (楼氏) | - | | | |
| | 1,4 пт 50в | Мурата (村田) | - | | | |
| | 150pf ± 20% 2,5 | NoUlз (楼氏) | - | | | |
| | 150pf ± 20% 100 В | NoUlз (楼氏) | - | | | |
| | 2700 UF ± 20% 450 Е. | Унишикон (尼吉康) | - | | | |
| | 2700 мкв ± 20% 400. | Унишикон (尼吉康) | - | | | |
| | 2700 мкв ± 20% 400. | Унишикон (尼吉康) | - | | | |
| | 2700 UF ± 20% 350 Е. | TDK | - | | | |
| | 2700 UF ± 20% 16 В | Виал (威世) | - | | |