Память — Модули
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | Micron Technology Inc. MTA72ASS8G72LZ-2G3A1 | Микрон Технология Инк. | Масса | МОДУЛЬ DDR4 SDRAM 64 ГБ 288LRDIMM |  | |
| | Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64AZ-2G1B1 | Микрон Технология Инк. | Масса | МОДУЛЬ DDR4 SDRAM 8 ГБ 288UDIMM | | |
| | Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72AZ-2G3A1 | Микрон Технология Инк. | Масса | МОДУЛЬ DDR4 SDRAM 8 ГБ 288UDIMM | | |
| | Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PZ-2G3A1 | Микрон Технология Инк. | Масса | МОДУЛЬ DDR4 SDRAM 8 ГБ 288RDIMM | | |
| | Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PZ-2G6B1 | Микрон Технология Инк. | Масса | МОДУЛЬ DDR4 SDRAM 8 ГБ 288RDIMM | | |
| | Micron Technology Inc. MTA9ASF51272AZ-2G3B1 | Микрон Технология Инк. | Масса | MTA9ASF51272AZ-2G3B1 | | |
| | Micron Technology Inc. MTA9ASF51272AZ-2G6B1 | Микрон Технология Инк. | Масса | МОДУЛЬ DDR4 SDRAM 4 ГБ 288UDIMM | | |
| | Micron Technology Inc. MTEDCAE002SAJ-1M4 | Микрон Технология Инк. | Масса | МОДУЛЬ FLASH NAND SLC 2 ГБ | | |
| | Свиссбит SEN01G64D1BJ1SA-25R | Свиссбит | Поднос | МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 1 ГБ 200SODIMM | | |
| | Свиссбит SEN02G64C4BJ2SA-25R | Свиссбит | Поднос | МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 2 ГБ 200SODIMM | | |
| | Свиссбит SEN02G64C4BJ2SA-25WR | Свиссбит | Поднос | МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 2 ГБ 200SODIMM | | |
| | Свиссбит SEN06464H2CJ1SA-25ER | Свиссбит | Поднос | МОД DDR2 SDRAM 512 МБ 200SODIMM | | |
| | Свиссбит SEN01G64D1BG1SA-25IR | Свиссбит | Поднос | МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 1 ГБ 200SODIMM | | |
| | Свиссбит SEN06464E1CG1SA-30R | Свиссбит | Поднос | МОД DDR2 SDRAM 512 МБ 200SODIMM | | |
| | Свиссбит SEN06464H2CG1SA-25ER | Свиссбит | Поднос | МОД DDR2 SDRAM 512 МБ 200SODIMM | | |
| | Свиссбит SEP01G72J2BG1SA-25R | Свиссбит | Поднос | МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 1 ГБ 240RDIMM | | |
| | Свиссбит SEP02G72E2BG2SA-25R | Свиссбит | Поднос | МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 2 ГБ 240RDIMM | | |
| | Свиссбит SEP25672G2AG2SA-37R | Свиссбит | Поднос | МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 256 МБ 240 RDIMM | | |
| | Свиссбит SEU01G64A3BG1SA-25R | Свиссбит | Поднос | МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 1 ГБ 240UDIMM | | |
| | Advantech Corp SQR-UD4N32G2K6SNME | Адвантек Корп | Масса | 288-контактный UDIMM DDR4 2666 32 ГБ 1,2 В | | $242,12 |
| | Advantech Corp SQR-SD3N2G1K6SNCEB | Адвантек Корп | Масса | SODIMM DDR3L, 0–85C, БЕЗБУФЕРНЫЙ | | $14,38 |
| | Advantech Corp SQR-SD4I32G2K6SEME | Адвантек Корп | Масса | 260-контактный разъем SODIMM ECC DDR4 2666 32 ГБ | | $301,17 |
| | Advantech Corp SQR-UD4N4G2K6SNPCB | Адвантек Корп | Масса | 288-контактный UDIMM DDR4 2666 4 ГБ 1,2 В | | $16,62 |
| | Advantech Corp SQR-SD4N16G3K2HNDE | Адвантек Корп | Масса | 260-контактный разъем SODIMM DDR4 2666 16 ГБ 1,2 | | 41 доллар США |
| | Advantech Corp SQR-UD4N16G2K6SNCB | Адвантек Корп | Масса | 288-контактный UDIMM DDR4 2666 16 ГБ 1,2 В | | $45,62 |
| | Advantech Corp SQR-YD4I32G2K6SEME | Адвантек Корп | Масса | 260-контактный ПРОЧНЫЙ ECC DDR4 2666 32G | | $366,32 |
| | Advantech Corp SQR-SD3I4G1K6MNEPB | Адвантек Корп | Масса | 204-контактный разъем SODIMM DDR3L 1600 4 ГБ 1,3 | | $29,88 |
| | Advantech Corp SQR-SD4N8G3K2MNGEA | Адвантек Корп | Масса | 260-контактный разъем SODIMM DDR4 3200 8 ГБ 1,2 В | | $47,25 |
| | Advantech Corp SQR-SD4N16G3K2MNEA | Адвантек Корп | Масса | 260-контактный разъем SODIMM DDR4 3200 16 ГБ 1,2 | | $71,62 |
| | Advantech Corp SQR-SD5N16G4K8HEME | Адвантек Корп | Масса | 262PIN ECC SODIMM DDR5 4800 16 ГБ | | $242,12 |