
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | RC3216F4R32CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 4,32 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RC3225F6494CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 6,49 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F180CS | Ксилинкс | 2512 | Техническое описание RC6432F180CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RCS3216F124CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F2260CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 226 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F1824CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 1,82 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216J754CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC2012F6200CS | Ксилинкс | 0805 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 620 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC2012F1001AS | Ксилинкс | 0805 | 1кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC2012F6201CS | Ксилинкс | 0805 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 6,2 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216F1270CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F6651CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 6,65кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3225F6654CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 6,65 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RC2012F1201AS | Ксилинкс | 0805 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 1,2 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3225F66R5CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 66,5 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RCS3216F9R1CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F22R6CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 22,6 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RCS3216J823CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F6810CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 681 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F4220CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 422 Ом, 1%, | ![]() | |
| | RC3225F1783CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 178кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F1333CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 133кОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216F4423CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | РУТ5025JR240CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC5025F182CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 1,8 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F8253CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 825кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC2012F154AS | Ксилинкс | 0805 | Толстая пленка, 150 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3225F2322CS | Ксилинкс | 1210 | Техническое описание RC3225F2322CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RCS3216F130CS | Ксилинкс | - | Техническое описание RCS3216F130CS в формате pdf и описание чипа-резистора — подробные сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RC3225F2323CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 232кОм, 1%, | ![]() | |