
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | RCS3216J153CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC6432J913CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 91кОм, 5%, | ![]() | |
| | RC3216F1912CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 19,1кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC5025F1472CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 14,7кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3225F474CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 470кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC3216F5113CS | Ксилинкс | 1206 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 511 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F3834CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 3,83 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RC5025F4224CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 4,22 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RC2012F3304CS | Ксилинкс | 0805 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, Толстопленочный, 3,3 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS3216J162CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RC3225F1692CS | Ксилинкс | 1210 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 16,9 ком, 1%, | ![]() | |
| | RC6432F3922CS | Ксилинкс | 2512 | Техническое описание RC6432F3922CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RCS3216F6982CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RCS3216J165CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RCS0603F1403CS | Ксилинкс | 0201 | 140кОм, | ![]() | |
| | RCS3216J180CS | Ксилинкс | - | Техническое описание RCS3216J180CS в формате pdf и описание чипа-резистора — подробные сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RCS0603F154CS | Ксилинкс | 0201 | 150кОм, | ![]() | |
| | RC6432F3924CS | Ксилинкс | 2512 | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 3,92 МОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS0603F1693CS | Ксилинкс | 0201 | 169кОм, | ![]() | |
| | RC5025F432CS | Ксилинкс | 2010 год | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 4,3кОм, 1%, | ![]() | |
| | RCS0603F205CS | Ксилинкс | 0201 | ![]() | | |
| | RCS0603F22R1CS | Ксилинкс | 0201 | Техническое описание RCS0603F22R1CS в формате pdf и описание чипа-резистора — подробные сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RU3225FR011CS | Ксилинкс | - | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 0,011 Ом, 1 %, | ![]() | |
| | RC3216F2000CS | Ксилинкс | 1206 | Техническое описание RC3216F2000CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RC2012F3601CS | Ксилинкс | 0805 | Толстая пленка, 3,6 кОм, 1%, | ![]() | |
| | RU3225FR012CS | Ксилинкс | - | Техническое описание RU3225FR012CS в формате pdf и описание чипа-резистора для поверхностного монтажа со склада Samsung Semiconductor доступно в Utmel | ![]() | |
| | RCS0603F304CS | Ксилинкс | 0201 | 300кОм, | ![]() | |
| | RC2012F3603CS | Ксилинкс | 0805 | Техническое описание RC2012F3603CS в формате pdf и описание чипа-резистора — сведения о продукте для поверхностного монтажа на складе Samsung Semiconductor доступны в Utmel | ![]() | |
| | RCS3216J1R6CS | Ксилинкс | - | ![]() | | |
| | RU3225FR016CS | Ксилинкс | - | ФИКСИРОВАННЫЙ РЕЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, 0,016 Ом, 1 %, | ![]() | |