直插铝电解电容 — Поиск электронных компонентов — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Chips_img

直插铝电解电容

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Больше продуктов

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
PEG227MMS4280QE4 ПЭГ227ММС4280QE4 КЕМЕТ (基美) - PEG227MMS4280QE4
PEG228MKP3750QE4 ПЭГ228МКП3750QE4 КЕМЕТ (基美) - PEG228MKP3750QE4
PEG130KJ4300QE4 PEG130KJ4300QE4 КЕМЕТ (基美) - PEG130KJ4300QE4
PEG228MLQ4120QE4 ПЭГ228MLQ4120QE4 КЕМЕТ (基美) - PEG228MLQ4120QE4
NXH16VB680M10*12.5 5.0TP NXH16VB680M10*12,5 5,0TP САМЁН (韩国三莹) - NXH16VB680M10*12.5 5.0TP
PEG228MKL3520QE4 PEG228MKL3520QE4 КЕМЕТ (基美) - PEG228MKL3520QE4
NXA16VB220M6.3*11 2.5TP NXA16VB220M6.3*11 2,5TP САМЁН (韩国三莹) - NXA16VB220M6.3*11 2.5TP
PEG228MLL3750QE4 PEG228MLL3750QE4 КЕМЕТ (基美) - PEG228MLL3750QE4
PEG124KC322AQE4 PEG124KC322AQE4 КЕМЕТ (基美) - PEG124KC322AQE4
NXA63VB680M12.5*30 LO NXA63VB680M12,5*30 ЛО САМЁН (韩国三莹) - NXA63VB680M12.5*30 LO
PXB25VB220M10*12.5 5.0TP PXB25VB220M10*12,5 5,0TP САМЁН (韩国三莹) - PXB25VB220M10*12.5 5.0TP
NFA200VB330M18*31.5_LO НФА200ВБ330М18*31,5_ЛО САМЁН (韩国三莹) - NFA200VB330M18*31.5_LO
MHA-BP25VB22M6.3*11 5.0TP МХА-БП25ВБ22М6,3*11 5,0ТП САМЁН (韩国三莹) - MHA-BP25VB22M6.3*11 5.0TP
NXH35VB270M8*15 5.0TP NXH35VB270M8*15 5.0TP САМЁН (韩国三莹) - NXH35VB270M8*15 5.0TP
NFA400VB6.8M8*15 3.5TP НФА400ВБ6.8М8*15 3,5ТП САМЁН (韩国三莹) - NFA400VB6.8M8*15 3.5TP
NFA200VB10M8*11.5_LO НФА200ВБ10М8*11,5_ЛО САМЁН (韩国三莹) - NFA200VB10M8*11.5_LO
NXH25VB1000M10*20 3.4RB NXH25VB1000M10*20 3,4РБ САМЁН (韩国三莹) - NXH25VB1000M10*20 3.4RB
NXH16VB1800M10*25 LO NXH16VB1800M10*25 ЛО САМЁН (韩国三莹) - NXH16VB1800M10*25 LO
AHS25VB47M5*11 LO АХС25ВБ47М5*11 ЛО САМЁН (韩国三莹) - AHS25VB47M5*11 LO
NXQ63VB150M8*20 5.0TP NXQ63VB150M8*20 5.0TP САМЁН (韩国三莹) - NXQ63VB150M8*20 5.0TP
NPA220M50 НПА220М50 НТЭ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНК. - NPA220M50
NEH1.0M63AA НЕХ1.0М63АА НТЭ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНК. - NEH1.0M63AA
NPA10M50 НПА10М50 НТЭ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНК. - NPA10M50
NEH47M100DC NEH47M100DC НТЭ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНК. - NEH47M100DC
NEH470M100FE НЕХ470М100ФЭ НТЭ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНК. - NEH470M100FE
NPA33M100 НПА33М100 НТЭ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНК. - NPA33M100
NEH.47M63AA НЕХ.47М63АА НТЭ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНК. - NEH.47M63AA
NEH47M6.3AA НЕХ47М6.3АА НТЭ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНК. - NEH47M6.3AA
NPA470M25 НПА470М25 НТЭ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНК. - NPA470M25
150uF ±20% 500V 150 мкФ ±20% 500 В Имин (永铭) - 150uF ±20% 500V
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.