Биполярный (БЮТ)
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | Fairchild Semiconductor FJPF19430TU | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | СИЛОВОЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНСИСТОР |  | 0,72 доллара США |
| | Fairchild Semiconductor KSC1623YMTF | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | ТРАНС НПН 50В 0,1А СОТ23-3 | | 0,02 доллара США |
| | NXP USA Inc. BLF574XRS112 | NXP США Инк. | Масса | СИЛОВОЙ ЛДМОС ТРАНСИСТОР, SOT1214 | | 192,3 доллара США |
| | Fairchild Semiconductor MMBT2484 | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | ТРАНС НПН 60В 0,1А СОТ23-3 | | |
| | Инфинеон Технологии BC807-25B5003 | Инфинеон Технологии | Масса | ТРАНС ПНП 45В 0,5А СОТ23-3 | | 0,02 доллара США |
| | Корпорация Харрис TIP47 | Харрис Корпорейшн | Масса | ТРАНС НПН 250В 1А ТО220-3 | | |
| | NXP USA Inc. BLA6G1011L-200RG112 | NXP США Инк. | Масса | СИЛОВОЙ ЛДМОС ТРАНСИСТОР, SOT502 ( | | $592,94 |
| | Fairchild Semiconductor BD442STU | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | ТРАНС ПНП 80В 4А ТО126-3 | | 0,19 доллара США |
| | Санио 2SC5980-TL-E | Саньо | Масса | НПН ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ КРЕМНИЙ | | 0,87 доллара США |
| | онсеми NJVMJD127T4 | онсеми | Масса | ТРАНС ПНП ДАРЛ 100В 8А ДПАК | | |
| | Fairchild Semiconductor FJX2907ATF | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | ТРАНС ПНП 60В 0,6А SC70 | | |
| | Fairchild Semiconductor BD239BTU | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | ТРАНС НПН 80В 2А ТО220-3 | | 0,26 доллара США |
| | NXP USA Inc. PMBT4403YS115 | NXP США Инк. | Масса | 40 В, 600 МА, ДВОЙНОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ NPN | | 1 доллар |
| | Sanyo FC12F-TL | Саньо | Масса | Н-КАНАЛЬНЫЙ ПЕРЕХОД SILICON TRANS | | 0,19 доллара США |
| | Fairchild Semiconductor MMBTA63 | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | ТРАНС ПНП ДАРЛ 30В 1.2А СОТ23-3 | | 0,03 доллара США |
| | Renesas Electronics America Inc FN4A4P-T1B-A | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Масса | 0,1 А, ПНП | | 0,04 доллара США |
| | Корпорация Харрис BDX33DS | Харрис Корпорейшн | Масса | ТРАНС НПН ДАРЛ 120В 10А ТО220 | | 1,28 доллара США |
| | Корпорация Харрис D42C11X | Харрис Корпорейшн | Масса | СИЛОВОЙ ТРАНСЗИСТОР 3А НПН | | 0,44 доллара США |
| | Ampleon USA Inc. BLF10M6200112-AMP | Амплеон США Инк. | Масса | СИЛОВОЙ ЛДМОС ТРАНСИСТОР | | $87,81 |
| | Fairchild Semiconductor KSC5402DTTU-FS | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | ТРАНС НПН 450В 2А ТО220-3 | | 1 доллар |
| | онсеми 2SA1669-TB-E-ON | онсеми | Масса | ПНП ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ КРЕМНИЙ | | |
| | онсеми NZT6717-ON | онсеми | Масса | ТРАНС НПН 80В 1,2А СОТ223-4 | | 0,14 доллара США |
| | онсеми KSH50TF-ON | онсеми | Масса | ТРАНС НПН 400В 1А ТО252-3 | | |
| | онсеми 2SA1773E-TL-E-ON | онсеми | Масса | ПРИМЕНЕНИЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ДРАЙВЕРОВ | | 0,56 доллара США |
| | Fairchild Semiconductor SS9014ABU-FS | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | ТРАНС НПН 45В 0,1А ТО92-3 | | 0,02 доллара США |
| | Fairchild Semiconductor SS9018HBU-FS | Фэйрчайлд Полупроводник | Масса | RF 0,05 А, ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА БА | | 0,02 доллара США |
| | онсеми FJX3014RTF-ON | онсеми | Масса | 0,1 А, 50 В, НПН | | |
| | NXP USA Inc. PBLS1503V,115-NXP | NXP США Инк. | Масса | 0,1 А, 50 В, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЕ NPN и PNP | | 0,07 доллара США |
| | онсеми BCW61BMTF-ON | онсеми | Масса | ТРАНС ПНП 32В 0,1А СОТ23-3 | | |
| | онсеми 2SC4452-3-TL-E-ON | онсеми | Масса | НПН ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ КРЕМНИЙ | | 0,1 доллара США |