直插瓷片电容

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Больше продуктов

Продукт	Номер детали	Производители	Упаковка	Описание	Техническая спецификация	Запрос запроса
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	ШМ (南方宏明)	-
	2,2 нФ ±20% 500 В	Дерсоник (德尔创)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	ВКК(威庆)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	Дерсоник (德尔创)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	Дерсоник (德尔创)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	ШМ (南方宏明)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	ШМ (南方宏明)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	СТЭ(松田)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	ФХ (风华)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	ШМ (南方宏明)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	ШМ (南方宏明)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	ШМ (南方宏明)	-
	2,2 нФ ±20% 1 кВ	ШМ (南方宏明)	-
	2,2 нФ ±10% 100 В	ВИШАЙ (威世)	-
	2,2 нФ ±20% 6 кВ	ВИШАЙ (威世)	-
	2,2 нФ ±20% 6 кВ	СТЭ(松田)	-
	2,2 нФ ±20% 6 кВ	СТЭ(松田)	-
	2,2 нФ ±20% 6 кВ	СТЭ(松田)	-
	2,2 нФ ±20% 4 кВ	ВИШАЙ (威世)	-
	2,2 нФ ±20% 4 кВ	ВИШАЙ (威世)	-
	2,2 нФ ±20% 4 кВ	ВИШАЙ (威世)	-
	2,2 нФ ±20% 4 кВ	ШМ (南方宏明)	-
	2,2 нФ ±20% 4 кВ	WMEC(万明)	-
	2,2 нФ ±20% 4 кВ	СТЭ(松田)	-
	2,2 нФ ±20% 4 кВ	СТЭ(松田)	-
	2,2 нФ ±20% 4 кВ	СТЭ(松田)	-
	2,2 нФ ±20% 4 кВ	СТЭ(松田)	-
	2,2 нФ ±10% 2 кВ	ТДК	-
	2,2 нФ ±10% 2 кВ	ВИШАЙ (威世)	-
	PS0030BE56133AP1	ВИШАЙ (威世)	-

直插瓷片电容

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ