排阻 - Поиск электронных компонентов - Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

排阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
3kΩ ±5% 停产 3 кОм ±5% ВИШАЙ (威世) - 3kΩ ±5% 停产
3kΩ ±5% 3 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 3kΩ ±5%
3kΩ ±5% 3 кОм ±5% РОМ (罗姆) - 3kΩ ±5%
3kΩ ±5% 3 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 3kΩ ±5%
3kΩ ±2% 3 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 3kΩ ±2%
3kΩ ±5% 3 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 3kΩ ±5%
3kΩ ±1% 3 кОм ±1% ЯГЭО (国巨) - 3kΩ ±1%
680Ω ±2% 680 Ом ±2% БОРНС - 680Ω ±2%
680Ω ±2% 680 Ом ±2% ВИШАЙ (威世) - 680Ω ±2%
680Ω ±5% 680 Ом ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 680Ω ±5%
680Ω ±2% 680 Ом ±2% БОРНС - 680Ω ±2%
680Ω ±5% 680 Ом ±5% CTS (西迪斯) - 680Ω ±5%
680Ω ±2% 680 Ом ±2% БОРНС - 680Ω ±2%
680Ω ±1% 680 Ом ±1% ЯГЭО (国巨) - 680Ω ±1%
680Ω ±2% 680 Ом ±2% БОРНС - 680Ω ±2%
680Ω ±2% 680 Ом ±2% CTS (西迪斯) - 680Ω ±2%
1.2kΩ ±2% 1,2 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 1.2kΩ ±2%
1.2kΩ ±2% 1,2 кОм ±2% ВИШАЙ (威世) - 1.2kΩ ±2%
1.2kΩ ±2% 1,2 кОм ±2% БОРНС - 1.2kΩ ±2%
1.2kΩ ±2% 1,2 кОм ±2% БОРНС - 1.2kΩ ±2%
1.2kΩ ±2% 1,2 кОм ±2% БОРНС - 1.2kΩ ±2%
620Ω ±2% 620 Ом ±2% CTS (西迪斯) - 620Ω ±2%
620Ω ±5% 620 Ом ±5% CTS (西迪斯) - 620Ω ±5%
620Ω ±5% 620 Ом ±5% CTS (西迪斯) - 620Ω ±5%
620Ω ±1% 620 Ом ±1% CTS (西迪斯) - 620Ω ±1%
1.3kΩ ±1% 1,3 кОм ±1% CTS (西迪斯) - 1.3kΩ ±1%
1.8kΩ ±5% 1,8 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 1.8kΩ ±5%
1.8kΩ ±5% 1,8 кОм ±5% БОРНС - 1.8kΩ ±5%
1.8kΩ ±2% 1,8 кОм ±2% ВИШАЙ (威世) - 1.8kΩ ±2%
1.8kΩ ±2% 1,8 кОм ±2% БОРНС - 1.8kΩ ±2%