排阻 - Поиск электронных компонентов - Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

排阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
3.9kΩ ±1% 3,9 кОм ±1% CTS (西迪斯) - 3.9kΩ ±1%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% ВИШАЙ (威世) - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% БОРНС - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% БОРНС - 3.9kΩ ±2%
680Ω ±2% 680 Ом ±2% БОРНС - 680Ω ±2%
7.5kΩ ±5% 7,5 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 7.5kΩ ±5%
680Ω ±5% 680 Ом ±5% БОРНС - 680Ω ±5%
680Ω ±2% 680 Ом ±2% CTS (西迪斯) - 680Ω ±2%
680Ω ±5% 680 Ом ±5% CTS (西迪斯) - 680Ω ±5%
3kΩ ±5% 3 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 3kΩ ±5%
680Ω ±2% 680 Ом ±2% CTS (西迪斯) - 680Ω ±2%
3kΩ 1kΩ ±0.1% 3 кОм 1 кОм ±0,1% ВИШАЙ (威世) - 3kΩ 1kΩ ±0.1%
3kΩ ±2% 3 кОм ±2% БОРНС - 3kΩ ±2%
3kΩ 3kΩ ±0.1% 3 кОм 3 кОм ±0,1% ВИШАЙ (威世) - 3kΩ 3kΩ ±0.1%
2.7kΩ ±5% 2,7 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 2.7kΩ ±5%
2.7kΩ ±2% 2,7 кОм ±2% БОРНС - 2.7kΩ ±2%
2.7kΩ ±2% 2,7 кОм ±2% БОРНС - 2.7kΩ ±2%
2.7kΩ ±2% 2,7 кОм ±2% БОРНС - 2.7kΩ ±2%
2.7kΩ ±2% 2,7 кОм ±2% БОРНС - 2.7kΩ ±2%
2.7kΩ ±1% 2,7 кОм ±1% ВИШАЙ (威世) - 2.7kΩ ±1%
2.2kΩ 6.8kΩ ±0.1% 2,2 кОм 6,8 кОм ±0,1% ВИШАЙ (威世) - 2.2kΩ 6.8kΩ ±0.1%
6.8kΩ ±2% 6,8 кОм ±2% ВИШАЙ (威世) - 6.8kΩ ±2%
6.8kΩ ±5% 6,8 кОм ±5% УНИ-РОЯЛ (厚声) - 6.8kΩ ±5%
6.8kΩ ±5% 6,8 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 6.8kΩ ±5%
6.8kΩ ±5% 6,8 кОм ±5% БОРНС - 6.8kΩ ±5%
1.2kΩ ±2% 1,2 кОм ±2% БОРНС - 1.2kΩ ±2%
1.2kΩ ±2% 1,2 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 1.2kΩ ±2%
620Ω ±2% 620 Ом ±2% БОРНС - 620Ω ±2%