排阻 - Поиск электронных компонентов - Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

排阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
1.8kΩ ±5% 1,8 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 1.8kΩ ±5%
2kΩ 1.4kΩ ±0.01% 2 кОм 1,4 кОм ±0,01% ВИШАЙ (威世) - 2kΩ 1.4kΩ ±0.01%
1.4kΩ ±1% 1,4 кОм ±1% ЯГЭО (国巨) - 1.4kΩ ±1%
5kΩ 25kΩ ±0.1% 5 кОм 25 кОм ±0,1% ВИШАЙ (威世) - 5kΩ 25kΩ ±0.1%
10kΩ 25kΩ ±0.1% 10 кОм 25 кОм ±0,1% ВИШАЙ (威世) - 10kΩ 25kΩ ±0.1%
50kΩ 25kΩ ±0.1% 50 кОм 25 кОм ±0,1% ВИШАЙ (威世) - 50kΩ 25kΩ ±0.1%
10kΩ 25kΩ ±0.1% 10 кОм 25 кОм ±0,1% ВИШАЙ (威世) - 10kΩ 25kΩ ±0.1%
5kΩ 25kΩ ±0.1% 5 кОм 25 кОм ±0,1% ВИШАЙ (威世) - 5kΩ 25kΩ ±0.1%
5kΩ 25kΩ ±0.1% 5 кОм 25 кОм ±0,1% ВИШАЙ (威世) - 5kΩ 25kΩ ±0.1%
2.49kΩ ±1% 2,49 кОм ±1% ЯГЭО (国巨) - 2.49kΩ ±1%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% БОРНС - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% БОРНС - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±5% 3,9 кОм ±5% CTS (西迪斯) - 3.9kΩ ±5%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% БОРНС - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±5% 停产 3,9 кОм ±5% ВИШАЙ (威世) - 3.9kΩ ±5% 停产
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% БОРНС - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±1% 3,9 кОм ±1% CTS (西迪斯) - 3.9kΩ ±1%
3.9kΩ ±5% 3,9 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 3.9kΩ ±5%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% БОРНС - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% БОРНС - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±2% 3,9 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 3.9kΩ ±2%
3.9kΩ ±5% 3,9 кОм ±5% CTS (西迪斯) - 3.9kΩ ±5%
4.7kΩ ±2% 4,7 кОм ±2% БОРНС - 4.7kΩ ±2%
4.7kΩ ±2% 4,7 кОм ±2% БОРНС - 4.7kΩ ±2%
4.7kΩ ±2% 4,7 кОм ±2% БОРНС - 4.7kΩ ±2%
4.7kΩ ±2% 4,7 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 4.7kΩ ±2%
4.7kΩ ±2% 4,7 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 4.7kΩ ±2%
4.7kΩ ±2% 4,7 кОм ±2% БОРНС - 4.7kΩ ±2%
4.7kΩ ±2% 4,7 кОм ±2% БОРНС - 4.7kΩ ±2%