排阻
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | 1,2 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - |  | | |
| | 1,2 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 1,2 кОм ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 1,2 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 1,27 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 6,8 кОм ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 6,8 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 6,8 кОм ±5% | РОМ (罗姆) | - | | | |
| | 6,8 кОм ±1% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 6,8 кОм 13,6 кОм ±0,005% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 866 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 910 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 976 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 976 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 931 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 100 Ом 900 Ом ±0,1% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 100 Ом 900 Ом ±0,05% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 887 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 887 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 875 Ом 125 Ом ±0,5% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 9091 кОм 909,1 Ом | АДИ(亚德诺)/МАКСИМ(美信) | - | | | |
| | 9091 кОм 909,1 Ом | АДИ(亚德诺)/МАКСИМ(美信) | - | | | |
 | 910 Ом ±1% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
| | 976 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 25 Ом 975 Ом ±0,5% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 6,8 кОм ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 6,8 кОм ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 6,8 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 1,33 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 1,3 кОм ±2% | БОРНС | - | | |