排阻 - Поиск электронных компонентов - Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

排阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
270kΩ ±5% 270 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 270kΩ ±5%
270kΩ ±2% 270 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 270kΩ ±2%
270kΩ ±5% 270 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 270kΩ ±5%
2MΩ ±2% 2 МОм ±2% БОРНС - 2MΩ ±2%
680kΩ ±5% 680 кОм ±5% CTS (西迪斯) - 680kΩ ±5%
680kΩ ±2% 680 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 680kΩ ±2%
680kΩ ±2% 680 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 680kΩ ±2%
680kΩ ±2% 680 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 680kΩ ±2%
680kΩ ±2% 680 кОм ±2% БОРНС - 680kΩ ±2%
680kΩ ±2% 680 кОм ±2% БОРНС - 680kΩ ±2%
680kΩ ±2% 680 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 680kΩ ±2%
680kΩ ±2% 680 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 680kΩ ±2%
680kΩ ±1% 680 кОм ±1% БОРНС - 680kΩ ±1%
680kΩ ±2% 680 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 680kΩ ±2%
390kΩ ±5% 390 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 390kΩ ±5%
390kΩ ±2% 390 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 390kΩ ±2%
390kΩ ±1% 390 кОм ±1% ЯГЭО (国巨) - 390kΩ ±1%
390kΩ ±2% 390 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 390kΩ ±2%
249kΩ ±1% 249 кОм ±1% ЯГЭО (国巨) - 249kΩ ±1%
560kΩ ±1% 560 кОм ±1% ЯГЭО (国巨) - 560kΩ ±1%
560kΩ ±2% 560 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 560kΩ ±2%
560kΩ ±5% 560 кОм ±5% CTS (西迪斯) - 560kΩ ±5%
560kΩ ±5% 560 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 560kΩ ±5%
560kΩ ±5% 560 кОм ±5% CTS (西迪斯) - 560kΩ ±5%
330kΩ ±2% 330 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 330kΩ ±2%
330kΩ ±2% 330 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 330kΩ ±2%
330kΩ ±2% 330 кОм ±2% БОРНС - 330kΩ ±2%
330kΩ ±2% 330 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 330kΩ ±2%
330kΩ ±5% 330 кОм ±5% CTS (西迪斯) - 330kΩ ±5%
330kΩ ±5% 330 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 330kΩ ±5%