排阻 - Поиск электронных компонентов - Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

排阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
510kΩ ±5% 510 кОм ±5% CTS (西迪斯) - 510kΩ ±5%
510kΩ ±5% 停产 510 кОм ±5% ВИШАЙ (威世) - 510kΩ ±5% 停产
510kΩ ±1% 510 кОм ±1% CTS (西迪斯) - 510kΩ ±1%
510kΩ ±2% 510 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 510kΩ ±2%
560kΩ ±2% 560 кОм ±2% БОРНС - 560kΩ ±2%
560kΩ ±5% 560 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 560kΩ ±5%
560kΩ ±2% 560 кОм ±2% БОРНС - 560kΩ ±2%
560kΩ ±2% 560 кОм ±2% БОРНС - 560kΩ ±2%
560kΩ ±2% 560 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 560kΩ ±2%
560kΩ ±5% 560 кОм ±5% БОРНС - 560kΩ ±5%
560kΩ ±5% 560 кОм ±5% БОРНС - 560kΩ ±5%
560kΩ ±2% 560 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 560kΩ ±2%
620kΩ ±5% 620 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 620kΩ ±5%
560kΩ ±2% 560 кОм ±2% CTS (西迪斯) - 560kΩ ±2%
620kΩ ±5% 停产 620 кОм ±5% ВИШАЙ (威世) - 620kΩ ±5% 停产
620kΩ ±5% 620 кОм ±5% CTS (西迪斯) - 620kΩ ±5%
620kΩ ±5% 停产 620 кОм ±5% ВИШАЙ (威世) - 620kΩ ±5% 停产
620kΩ ±5% 620 кОм ±5% РОМ (罗姆) - 620kΩ ±5%
620kΩ ±1% 620 кОм ±1% CTS (西迪斯) - 620kΩ ±1%
620kΩ ±5% 停产 620 кОм ±5% ВИШАЙ (威世) - 620kΩ ±5% 停产
620kΩ ±5% 620 кОм ±5% ПАНАСОНИК(松下) - 620kΩ ±5%
392kΩ ±1% 392 кОм ±1% ЯГЭО (国巨) - 392kΩ ±1%
365kΩ ±1% 365 кОм ±1% ЯГЭО (国巨) - 365kΩ ±1%
910kΩ ±5% 910 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 910kΩ ±5%
430kΩ ±5% 430 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 430kΩ ±5%
430kΩ ±5% 430 кОм ±5% ВИШАЙ (威世) - 430kΩ ±5%
430kΩ ±1% 430 кОм ±1% ЯГЭО (国巨) - 430kΩ ±1%
430kΩ ±5% 430 кОм ±5% ЯГЭО (国巨) - 430kΩ ±5%
220kΩ ±2% 220 кОм ±2% БОРНС - 220kΩ ±2%
220kΩ ±2% 220 кОм ±2% БОРНС - 220kΩ ±2%