

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| 510 кОм ±5% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 510 кОм ±5% | SEI (Stackpole Electronics Inc.) | - | ![]() | | |
| 374 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 560 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 560 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 560 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 560 кОм ±5% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 316 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 294 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 340 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 324 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 243 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 294 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 316 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 1000 МОм 333 333 кОм ±1% | опустить | - | ![]() | | |
| 330 кОм ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 348 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 332 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 487 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 475 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 510 кОм ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 510 кОм ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 510 кОм ±5% | БОРНС | - | ![]() | | |
| 510 кОм ±5% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | ![]() | | |
| 560 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 560 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 560 кОм ±5% | SEI (Stackpole Electronics Inc.) | - | ![]() | | |
| 560 кОм ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 560 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 620 кОм ±5% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | |