

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| 1,9567 кОм 2,04525 кОм ±0,05% | ВИШАЙ (威世) | - | ![]() | | |
| 2,4 кОм ±5% | ФХ (风华) | - | ![]() | | |
| 2,4 кОм ±5% 0603x4 | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 3,9 кОм ±5% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 3,9 кОм ±5% | САМСУНГ(三星) | - | ![]() | | |
| 3,9 кОм ±5% | ВИШАЙ (威世) | - | ![]() | | |
| 3,9 кОм ±5% | ПАНАСОНИК(松下) | - | ![]() | | |
| 3,9 кОм ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 3,9 кОм ±2% | БОРНС | - | ![]() | | |
| 3,9 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 3,16 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 2,74 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 2,74 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 3 кОм ±5% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | ![]() | | |
| 3 кОм ±5% | САМСУНГ(三星) | - | ![]() | | |
| 30 кОм 3 кОм ±1% | ВИШАЙ (威世) | - | ![]() | | |
| 3,65 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 5,11 кОм ±1% | ВИШАЙ (威世) | - | ![]() | | |
| 4,02 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 4,7 кОм ±2% | ВИШАЙ (威世) | - | ![]() | | |
| 6,81 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 6,2 кОм ±5% | ПАНАСОНИК(松下) | - | ![]() | | |
| 6,2 кОм ±1% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 6,2 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 6,2 кОм 13,71 кОм ±1% | ВИШАЙ (威世) | - | ![]() | | |
| 6,2 кОм ±1% | КАЛ-ЧИП | - | ![]() | | |
| 6,2 кОм ±5% | ВИШАЙ (威世) | - | ![]() | | |
| 3,92 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | ![]() | | |
| 6,8 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | ![]() | | |
| 6,8 кОм ±2% | БОРНС | - | ![]() | |