电阻 - Поиск электронных компонентов - Спецификация, Дистрибьютор чипов, Быстрое предложение, Гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Chips_img

电阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Больше продуктов

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
薄膜电阻 28kΩ ±0.25% 250mW 薄膜电阻 28кОм ±0,25% 250мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 28kΩ ±0.25% 250mW
薄膜电阻 28kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 28кОм ±0,1% 125мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 28kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 28kΩ ±0.5% 100mW 薄膜电阻 28кОм ±0,5% 100мВт СУСУМУ - 薄膜电阻 28kΩ ±0.5% 100mW
薄膜电阻 28kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 28кОм ±0,1% 125мВт СУСУМУ - 薄膜电阻 28kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 28kΩ ±0.5% 125mW 薄膜电阻 28кОм ±0,5% 125мВт СУСУМУ - 薄膜电阻 28kΩ ±0.5% 125mW
薄膜电阻 28kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻 28кОм ±0,1% 250мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 28kΩ ±0.1% 250mW
薄膜电阻 28kΩ ±0.25% 100mW 薄膜电阻 28кОм ±0,25% 100мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 28kΩ ±0.25% 100mW
薄膜电阻 28kΩ ±0.5% 62.5mW 薄膜电阻 28кОм ±0,5% 62,5мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 28kΩ ±0.5% 62.5mW
薄膜电阻 28kΩ ±0.1% 62.5mW 薄膜电阻 28кОм ±0,1% 62,5мВт КОА - 薄膜电阻 28kΩ ±0.1% 62.5mW
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 100mW 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,1% 100 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 100mW
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.5% 400mW 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,5% 400 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.5% 400mW
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.5% 250mW 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,5% 250 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.5% 250mW
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,1% 125 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.5% 500mW 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,5% 500 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.5% 500mW
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.5% 200mW 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,5% 200 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.5% 200mW
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 1W 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,1% 1 Вт TE Connectivity (泰科电子) - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 1W
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 1W 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,1% 1 Вт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 1W
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 200mW 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,1% 200 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 200mW
薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 1W 薄膜电阻 24,9 кОм ±0,1% 1 Вт СУСУМУ - 薄膜电阻 24.9kΩ ±0.1% 1W
薄膜电阻 47kΩ ±1% 250mW 薄膜电阻 47кОм ±1% 250мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 47kΩ ±1% 250mW
薄膜电阻 47kΩ ±0.1% 62.5mW 薄膜电阻 47кОм ±0,1% 62,5мВт КОА - 薄膜电阻 47kΩ ±0.1% 62.5mW
薄膜电阻 47kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 47кОм ±0,1% 125мВт КОА - 薄膜电阻 47kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 47kΩ ±0.05% 250mW 薄膜电阻 47кОм ±0,05% 250мВт СУСУМУ - 薄膜电阻 47kΩ ±0.05% 250mW
薄膜电阻 47kΩ ±0.1% 62.5mW 薄膜电阻 47кОм ±0,1% 62,5мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 47kΩ ±0.1% 62.5mW
薄膜电阻 47kΩ ±5% 250mW 薄膜电阻 47кОм ±5% 250мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 47kΩ ±5% 250mW
薄膜电阻 47kΩ ±0.25% 125mW 薄膜电阻 47кОм ±0,25% 125мВт КОА - 薄膜电阻 47kΩ ±0.25% 125mW
薄膜电阻 33.2kΩ ±0.1% 100mW 薄膜电阻 33,2 кОм ±0,1% 100 мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 33.2kΩ ±0.1% 100mW
薄膜电阻 33.2kΩ ±1% 125mW 薄膜电阻 33,2 кОм ±1% 125 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 33.2kΩ ±1% 125mW
薄膜电阻 47kΩ ±0.25% 250mW 薄膜电阻 47кОм ±0,25% 250мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 47kΩ ±0.25% 250mW
薄膜电阻 47kΩ ±1% 250mW 薄膜电阻 47кОм ±1% 250мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 47kΩ ±1% 250mW
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.