电容 — Поиск электронных компонентов — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
ОЛЧИПС ЭЛЕКТРОНИКС ЛИМИТЕД
ОЛЧИПС ЭЛЕКТРОНИКС ЛИМИТЕД
cart
Нажмите «Добавить корзину».

Добавьте кардиопродукты

Chips_img

电容

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Уолсин (华新科) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В ВИШАЙ (威世) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В КЕМЕТ (基美) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В ВИШАЙ (威世) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±10% 1.6kV 550V 8,2 нФ ±10 % 1,6 кВ 550 В ВИШАЙ (威世) - 8.2nF ±10% 1.6kV 550V
8.2nF ±5% 80V 8,2 нФ ±5% 80 В муРата (村田) - 8.2nF ±5% 80V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В ВИШАЙ (威世) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±10% 1.6kV 550V 8,2 нФ ±10 % 1,6 кВ 550 В ВИШАЙ (威世) - 8.2nF ±10% 1.6kV 550V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В ТДК - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±5% 100V 8,2 нФ ±5% 100 В ЯГЭО (国巨) - 8.2nF ±5% 100V
8.2nF ±10% 3kV 8,2 нФ ±10% 3 кВ ВИШАЙ (威世) - 8.2nF ±10% 3kV
8.2nF ±10% 3kV 8,2 нФ ±10% 3 кВ Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±10% 3kV
8.2nF ±10% 3kV 8,2 нФ ±10% 3 кВ ВИШАЙ (威世) - 8.2nF ±10% 3kV
8.2nF ±10% 1.5kV 8,2 нФ ±10% 1,5 кВ Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±10% 1.5kV
8.2nF ±10% 1.5kV 8,2 нФ ±10% 1,5 кВ Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±10% 1.5kV
8.2nF ±10% 1.5kV 8,2 нФ ±10% 1,5 кВ Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±10% 1.5kV
8.2nF ±10% 1.5kV 8,2 нФ ±10% 1,5 кВ Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±10% 1.5kV
8.2nF ±10% 1.5kV 8,2 нФ ±10% 1,5 кВ ВИШАЙ (威世) - 8.2nF ±10% 1.5kV
8.2nF ±10% 1.5kV 8,2 нФ ±10% 1,5 кВ Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±10% 1.5kV
8.2nF ±10% 1.5kV 8,2 нФ ±10% 1,5 кВ ВИШАЙ (威世) - 8.2nF ±10% 1.5kV
8.2nF ±10% 1.5kV 8,2 нФ ±10% 1,5 кВ Ноулз (楼氏) - 8.2nF ±10% 1.5kV