Параметры |
Производитель | Микрон Технология Инк. |
Ряд | - |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | Устаревший |
Тип | Неустойчивый |
Формат памяти | ПСРАМ |
Технология | PSRAM (псевдо SRAM) |
Размер | 64 Мбит |
Организация | 4М х 16 |
ИНЕРФЕРСП | Параллельно |
Время цикла записи — Word, Page | 70нс |
Время доступа | 70 нс |
Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
Рабочая температура | -30°C ~ 85°C (TC) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Пакет/ключи | 54-ВФБГА |
Поставщик пакета оборудования | 54-ВФБГА (6х8) |
Базовый номер продукта | MT45W4MW16 |
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
Статус REACH | REACH не касается |
ECCN | 3A991B2A |
ХТСУС | 8542.32.0041 |
Стандартный пакет | 1000 |
PSRAM (псевдо SRAM) ИС память, 64 Мбит, параллельный, 70 нс, 54-VFBGA (6x8)