Параметры |
Производитель | онсеми |
Ряд | - |
Упаковка | Масса |
Статус продукта | Устаревший |
Тип транзистора | НПН |
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 700 мВ при 1 мА, 10 мА |
Ток-отсечка коллектора (макс.) | 50нА |
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 200 на 100 мкА, 5 В |
Мощность - Макс. | 625 мВт |
Частота – переход | 30 МГц |
Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
Тип монтажа | Сквозное отверстие |
Пакет/ключи | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) |
Поставщик пакета оборудования | ТО-92-3 |
Базовый номер продукта | 2Н5210 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
Статус REACH | REACH не касается |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8541.21.0095 |
Стандартный пакет | 10 000 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 50 В 100 мА 30 МГц 625 мВт сквозное отверстие ТО-92-3