Параметры |
Производитель | ЭПК Спейс, ООО |
Ряд | ЭГАН® |
Упаковка | Масса |
Статус продукта | Активный |
Тип полярного транзистора | N-канал |
Технология | GaNFET (нитрид галлия) |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 200 В |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 80А (Тс) |
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 5В |
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 14,5 мОм при 30 А, 5 В |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,5 В при 7 мА |
ВГС (Макс) | +6В, -4В |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1313 пФ при 100 В |
Особенность левого транзистора | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Поставщик пакета оборудования | 5-СМД |
Пакет/ключи | 5-СМД, без свинца |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
ХТСУС | 0000.00.0000 |
Стандартный пакет | 1 |
N-канал 200 В 80 А (Tc) для поверхностного монтажа 5-SMD