Параметры |
Производитель | Микрочиповая технология |
Ряд | СИЛА МОС 7® |
Упаковка | Трубка |
Статус продукта | Активный |
Тип БТИЗ | ПТ |
Конфигурация | Одинокий |
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 1200 В |
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 75 А |
Мощность - Макс. | 329 Вт |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 3,9 В при 15 В, 45 А |
Ток-отсечка коллектора (макс.) | 750 мкА |
Входная емкость (Cies) при Vce | 4 нФ @ 25 В |
Вход | Стандартный |
НТЦ-термистор | Нет |
Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
Тип монтажа | Крепление на шасси |
Пакет/ключи | ИЗОТОП |
Поставщик пакета оборудования | ИЗОТОП® |
Базовый номер продукта | АПТ45ГП120 |
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
Статус REACH | REACH не касается |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8541.29.0095 |
Стандартный пакет | 1 |
Модуль IGBT PT Single, 1200 В, 75 А, 329 Вт, монтаж на шасси ISOTOP®