NXP USA Inc. PMGD400UN,115 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
ОЛЧИПС ЭЛЕКТРОНИКС ЛИМИТЕД
ОЛЧИПС ЭЛЕКТРОНИКС ЛИМИТЕД
cart
Нажмите «Добавить корзину».

Добавьте кардиопродукты

product_banner

ПРОДУКТ

NXP USA Inc. PMGD400UN,115

ПМГД400УН,115

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PMGD400UN,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5510
  • Артикул: ПМГД400УН,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 710 мА
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 480 мОм при 200 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,89 нк при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 43пФ при 25В
Мощность - Макс. 410мВт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования 6-ЦСОП
Базовый номер продукта ПМГД4
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 710 мА, 410 мВт, для поверхностного монтажа, 6-ТССОП