Параметры |
Производитель | Микрон Технология Инк. |
Ряд | - |
Упаковка | Поднос |
Статус продукта | Устаревший |
Тип | Неустойчивый |
Формат памяти | ДРАМ |
Технология | SDRAM-DDR |
Размер | 512 Мбит |
Организация | 64М х 8 |
ИНЕРФЕРСП | Параллельно |
Тактовая частота | 200 МГц |
Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
Время доступа | 700 пс |
Напряжение питания | 2,5 В ~ 2,7 В |
Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Пакет/ключи | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
Поставщик пакета оборудования | 66-ЦОП |
Базовый номер продукта | МТ46В64М8 |
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 5 (48 часов) |
Статус REACH | REACH не касается |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8542.32.0024 |
Стандартный пакет | 1000 |
SDRAM — ИС память DDR, 512 Мбит, параллельная, 200 МГц, 700 пс, 66-TSOP