СГЛ160Н60УФДТУ

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGL160N60UFDTU.IGBT Одиночный транзистор, 160 А, 2,6 В, 250 Вт, 600 В, TO-264, 3 контакта

Производитель: ОН Полупроводник
Номер производителя: СГЛ160Н60УФДТУ
Упаковка: ТО-264-3, ТО-264АА
Техническая спецификация:-
Запас: 9216
Артикул: 1807-СГЛ160Н60УФДТУ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Пакет/ключи	ТО-264-3, ТО-264АА
Количество контактов	3
Масса	6,756 г
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	600В
Количество элементов	1
Условия испытаний	300 В, 80 А, 3,9 Ом, 15 В
Выключить время задержки	90 нс
Рабочая температура	-55°C~150°C, ТиДжей
Упаковка	Трубка
Опубликовано	2014 год
Код JESD-609	е3
Код Pbfree	да
Статус детали	Не для новых дизайнов
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Количество окончаний	3
ECCN-код	EAR99
Терминальные отделки	Олово (Вс)
Дополнительная функция	НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
Код HTS	8541.29.00.95
Напряжение — номинальный постоянный ток	600В
Максимальная рассеиваемая мощность	250 Вт
Текущий рейтинг	80А
Конфигурация элемента	Одинокий
Рассеяние активности	250 Вт
Тип входа	Стандартный
Включить время задержки	40 нс
Применение транзистора	УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ
Полярность/Тип канала	Н-КАНАЛЬНЫЙ
Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	600В
Макс. ток коллектора	160А
Обратное время восстановления	95 нс
Время включения	150 нс
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,6 В @ 15 В, 80 А
Время выключения-Nom (toff)	262 нс
Заряд от ворот	345 НК
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	300А
Td (вкл/выкл) при 25°C	40 нс/90 нс
Переключение энергии	2,5 мДж (вкл.), 1,76 мДж (выкл.)
Высота	26 мм
Длина	20 мм
Шyrina	5 мм
ДОСТИГНУТЬ СВХК	Нет СВХК
Радиационная закалка	Нет
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Без свинца	Без свинца
Статус жизненного цикла	АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 10 часов назад)
Установить	Сквозное отверстие
Тип монтажа	Сквозное отверстие

Описание

СГЛ160Н60УФДТУимеет низкую проводимость и потери на переключение при коротком замыкании 600 В, рассчитанные на сверхбыстрый IGBT. Эта серия UFD предназначена для высокоскоростных коммутационных приложений, таких как управление двигателями и инверторами общего назначения. Этот предмет предназначен для общего использования и может быть использован различными способами. Анбиполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) — это силовое полупроводниковое устройство с последовательными выводами, которое обычно используется в качестве переключателя, который по мере его развития развивался, чтобы сочетать высокую эффективность и быстрое переключение. Он состоит из четырех чередующихся слоев (P–N–P–N), которыми управляются.металл–оксид–полупроводник(МОП) структура затвора.