Технология микрочипа APT75GP120JDQ3

АПТ75GP120JDQ3

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT75GP120JDQ3
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3473
Артикул: АПТ75GP120JDQ3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $47.1600

Дополнительная цена:$47.1600

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛА МОС 7®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ПТ
Конфигурация	Одинокий
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	128 А
Мощность - Макс.	543 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3,9 В при 15 В, 75 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	1,25 мА
Входная емкость (Cies) при Vce	7,04 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ-термистор	Нет
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	ИЗОТОП
Поставщик пакета оборудования	ИЗОТОП®
Базовый номер продукта	АПТ75ГП120
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT PT Single, 1200 В, 128 А, 543 Вт, монтаж на шасси ISOTOP®