Микрочиповая технология APT60GT60JRDQ3

APT60GT60JRDQ3

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология APT60GT60JRDQ3
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4195
Артикул: APT60GT60JRDQ3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	Тандерболт IGBT®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Тип БТИЗ	ДНЯО
Конфигурация	Одинокий
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	105 А
Мощность - Макс.	379 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,5 В @ 15 В, 60 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	330 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	3,1 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ-термистор	Нет
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	СОТ-227-4, миниБЛОК
Поставщик пакета оборудования	ИЗОТОП®
Базовый номер продукта	АПТ60GT60
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT NPT, одиночный, 600 В, 105 А, 379 Вт, монтаж на шасси ISOTOP®