TIP3055G — Модульные разъемы ON Semiconductor с магнитами — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
ОЛЧИПС ЭЛЕКТРОНИКС ЛИМИТЕД
ОЛЧИПС ЭЛЕКТРОНИКС ЛИМИТЕД
cart
Нажмите «Добавить корзину».

Добавьте кардиопродукты

product_banner

ПРОДУКТ

СОВЕТ3055G

NPN -65°C~150°C TJ 700 мкА 1 элемент 3 клеммы КРЕМНИевый NPN ТО-247-3 Трубное сквозное отверстие

  • Производитель: ОН Полупроводник
  • Номер производителя: СОВЕТ3055G
  • Упаковка: ТО-247-3
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1
  • Артикул: 1807-ТИП3055Г
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Теги

Параметры
Статус жизненного цикла АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад)
Срок выполнения заказа на заводе 2 недели
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поверхностный монтаж НЕТ
Количество контактов 3
Масса 4.535924г
Материал транзисторного элемента КРЕМНИЙ
Рабочая температура -65°С~150°С ТДж
Упаковка Трубка
Опубликовано 1993 год
Код JESD-609 е3
Код Pbfree да
Статус детали Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Количество окончаний 3
ECCN-код EAR99
Терминальные отделки Олово (Вс)
Напряжение — номинальный постоянный ток 60В
Максимальная рассеиваемая мощность 90 Вт
Пиковая температура оплавления (Цел) 260
Текущий рейтинг 15А
Частота 2,5 МГц
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) 40
Количество контактов 3
Количество элементов 1
Конфигурация элемента Одинокий
Рассеяние активности 90 Вт
Соединение корпуса КОЛЛЕКЦИОНЕР
Применение транзистора ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
Продукт увеличения пропускной способности 2,5 МГц
Полярность/Тип канала НПН
Тип транзистора НПН
Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) 60В
Макс. ток коллектора 15А
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 @ 4А 4В
Ток-отсечка коллектора (макс.) 700 мкА
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 3 В при 3,3 А, 10 А
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 60В
Частота смены 2,5 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В
Базовое напряжение коллектора (VCBO) 100В
Базовое напряжение эмиттера (VEBO)
hFE Мин. 20
Высота 20,3454 мм
Длина 15,2146 мм
Шyrina 4,9022 мм
ДОСТИГНУТЬ СВХК Нет СВХК
Радиационная закалка Нет
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Без свинца Без свинца

Обзор TIP3055G


Это устройство имеет коэффициент усиления по постоянному току 20 при 4 А и 4 В, что представляет собой соотношение между током коллектора и током базы. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В обеспечивает гибкость конструкции. Насыщение VCE указывает на наибольшее значение Ic (насыщение). ) и максимальное значение насыщения VCE (Макс). Базовое напряжение эмиттера можно поддерживать на уровне 7 В для достижения высокой эффективности. Обычно номинальный ток предохранителя означает, какой ток он может выдержать без слишком сильного ухудшения, что в данном случае это 15А. В этой части частоты переключения составляет 2,5 МГц. Максимальное ток коллектора составляет 15А вольт.

Особенности TIP3055G


Коэффициент усиления по постоянному току для этого устройства составляет 20 при 4 А 4 В.
насыщения напряжения коллектор-эмиттер 1,1 В.
насыщение vce (макс.) составляет 3 В при 3,3 А, 10 А.
напряжение базы-эмиттера происходит на уровне 7В
нынешний номинал этого устройства 15А
частота переключения 2,5 МГц


TIP3055G Приложения


Есть много ON Semiconductor
TIP3055G Применение одиночных BJT-транзисторов.


  • Инвертор
  • Имен
  • Водитель
  • Отключение звука