Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса Freescale Semiconductor — NXP MRF6VP3091NR1 Freescale Semiconductor — NXP Масса MRF6V3090 - Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор $111,27
NXP Semiconductors MRFX1K80H-230MHZ НХП Полупроводники Масса MRFX1K80H — ШИРОКОПОЛОСНОЕ ВЧ-ПИТАНИЕ 65 В 1 доллар
Рочестер Электроникс, ООО BLF278C Рочестер Электроникс, ООО Масса BLF278C — ДВОЙНОЙ PUSH-PULL Н-КАНАЛЬНЫЙ запросить цену
NXP Semiconductors MRF6VP3450HR5 НХП Полупроводники Масса БОКОВОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ РФ П $230,37
NXP Semiconductors MRFE6VP8600HR5 НХП Полупроводники Масса ЛДМОС ШИРОКОПОЛОСНАЯ РЧ ПЕРЕДАЧА ЭНЕРГИИ $311,06
Рочестер Электроникс, ООО CLF1G0060S-30 Рочестер Электроникс, ООО Масса CLF1G0060S-30 — ШИРОКОПОЛОСНЫЙ РЧ 30 Вт запросить цену
Рочестер Электроникс, ООО BLF404 Рочестер Электроникс, ООО Масса BLF404 - УВЧ МОЩНОСТЬ VDMOS TRANSIS запросить цену
Рочестер Электроникс, ООО CLF1G0060-10 Рочестер Электроникс, ООО Масса CLF1G0060-10 - ШИРОКОПОЛОСНЫЙ РЧ 10 Вт $97,08
Рочестер Электроникс, ООО BLF278 Рочестер Электроникс, ООО Масса BLF278 - VHF PUSH-PULL POWER VDM 159,99 долларов США
Амплеон США Инк. ART1K6FHGJ Амплеон США Инк. Лента и катушка (TR) ART1K6FHG/SOT1248/REELDP $226,06
Амплеон США Инк. АРТ1К6ФХСУ Амплеон США Инк. Поднос ART1K6FHS/SOT539/ЛОТОК $209,32
Амплеон США Инк. АРТ2К0ФЕСУ Амплеон США Инк. Поднос ART2K0FES/SOT539/ЛОТОК $227,06
Ampleon USA Inc. BLP9H10S-850AVTY Амплеон США Инк. Лента и катушка (TR) BLP9H10S-850AVTY/OMP-1230/РИЛД $77,3
Ampleon USA Inc. BLC10G22XS-401AVTY Амплеон США Инк. Лента и катушка (TR) BLC10G22XS-401AVTY/SOT1275/РИЛД $88,07
Ampleon USA Inc. CLL3H0914LS-700U Амплеон США Инк. Поднос CLL3H0914LS-700U $596,7
Ampleon USA Inc. CLL3H0914L-700U Амплеон США Инк. Поднос CLL3H0914L-700U $596,7
NXP USA Inc. A5G23H065NT4 NXP США Инк. Лента и катушка (TR) ТРАНЗИСТОР СИЛОВОГО ГАНА AIRFAST РФ, $22,08
NXP USA Inc. A5G38H045NT4 NXP США Инк. Лента и катушка (TR) ДМС ГАН DFN7X6,5 6л $21,31
Микрочиповая технология 2729GN-270V Микрочиповая технология Масса ТРАН, ГАН, 2700-2900 МГц, 50В, 2 запросить цену
Микрочиповая технология 1011GN-125EL Микрочиповая технология Масса ТРАН, ГАН, 1030/1090 МГц, 125 Вт, запросить цену
Микрочиповая технология 1214ГН-700В Микрочиповая технология Масса ТРАН, ГАН, 1200-1400 МГЦ, 700Вт, запросить цену
Микрочиповая технология 1214GN-600VHE Микрочиповая технология Масса ТРАН, ГАН, 1200-1400 МГЦ, 600Вт, запросить цену
Микрочиповая технология 1011GN-30EP Микрочиповая технология Масса ПОДДОН, ГАН, 1030-1090 МГЦ, 30Вт, запросить цену
Технология микрочипа 78160GNP Микрочиповая технология Масса ПОДДОН, ГАН, 2,7-2,9 ГГЦ, 270Вт, запросить цену
Микрочиповая технология 1214ГН-50ЭП Микрочиповая технология Масса ПОДДОН, ГАН, 1200-1400 МГЦ, 50Вт, запросить цену
Микрочиповая технология 0912GN-300V Микрочиповая технология Масса ТРАН, ГАН, 960-1215 МГц, 300Вт, 5 запросить цену
Микрочиповая технология 2731GN-120V Микрочиповая технология Масса ТРАН, ГАН, 2700-3100 МГц, 110Вт, запросить цену
Микрочиповая технология 1214GN-15E Микрочиповая технология Масса ТРАН, ГАН, 960-1215 МГц, 15Вт, 50 запросить цену
Микрочиповая технология 1214GN-120E Микрочиповая технология Масса ТРАН, ГАН, 1200-1400 МГЦ, 120Вт, запросить цену
Микрочиповая технология 0912GN-250V Микрочиповая технология Масса ТРАН, ГАН, 960-1215 МГц, 250 Вт, 5 запросить цену
