Парметр |
Млн | Ampleon USA Inc. |
В припании | ИСКОССТВО |
Упако | Поднос |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК |
ЧastoTA | 1 мг ~ 400 мгест |
Прирост | 28,9db |
В конце | 65 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 1,4 мка |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 600 май |
Питани - В.О. | 2000 Вт |
Napraheneee - оинка | 200 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | SOT-539AN |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT539AN |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодадж | 20 |
RF MOSFET 65 V 600 MMA 1 MMGц ~ 400 MMGц 28,9 DB 2000W SOT539AN