Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов BAS386-TR3
БАС386-ТР3
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
- Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов BAS386-TR3
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 8
- Артикул: БАС386-ТР3
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | Шоттки |
| Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 50 В |
| Ток – средний выпрямленный (Io) | 200 мА |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 900 мВ при 100 мА |
| Скорость | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 5 мкА при 40 В |
| Эмкость @ Вр, Ф | 8пФ @ 1В, 1МГц |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 2-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | МикроМЭЛФ |
| Рабочая температура - соединение | -65°С ~ 150°С |
| Базовый номер продукта | БАС386 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0070 |
| Стандартный пакет | 10 000 |
Диод 50 В 200 мА для поверхностного монтажа MicroMELF
Больше продуктов
- Диоды Инкорпорейтед 1N4001-T
- Диоды Инкорейтед 1N4002-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4003-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4004-T
- Диоды Инкорейтед 1N4005-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4006-T
- Диоды Инкорейтед 1N4007-T
- Диоды Инкорейтед 1N4148-T
- Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-70HFR40
- Диоды Инкорпорейтед 1N5400-T
- Диоды Инкорейтед S1BB-13
- Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-85HF100
- Диоды Инкорпорейтед 1N5401-T
- Диоды Инкорейтед 1N5402-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5404-T