Микрочиповая технология JAN2N6990
Январь2N6990
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N6990
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 6730
- Артикул: Январь2N6990
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/559 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 4 НПН (четверка) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 800 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1 В @ 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 400мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 14-плоская упаковка |
| Поставщик пакета оборудования | 14-плоская упаковка |
| Базовый номер продукта | 2N6990 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 4 NPN (четверка) 50 В 800 мА 400 мВт для поверхностного монтажа 14 плоских блоков