GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 - GeneSiC Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводник GeneSiC GA50JT17-247

GA50JT17-247

  • Производитель: GeneSiC Полупроводник
  • Номер производителя: Полупроводник GeneSiC GA50JT17-247
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6257
  • Артикул: GA50JT17-247
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель GeneSiC Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора -
Технология SiC (карбидокремниевый переходной транзистор)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) -
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 25 мОм при 50 А
Vgs(th) (Макс) @ Id -
ВГС (Макс) -
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 583 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247
Пакет/ключи ТО-247-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1242-1247 гг.
Стандартный пакет 30
1700 В 100 А (Тс) 583 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247