Microsemi Corporation APTGT50H60T2G — IGBT Microsemi Corporation — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Microsemi APTGT50H60T2G

АПТГТ50Х60Т2Г

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Microsemi APTGT50H60T2G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5475
  • Артикул: АПТГТ50Х60Т2Г
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Полный мостовой инвертор
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 80 А
Мощность - Макс. 176 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,9 В @ 15 В, 50 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 250 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 3,15 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Да
Рабочая температура -
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи SP2
Поставщик пакета оборудования SP2
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT Trench Field Stop Полный мостовой инвертор 600 В 80 А 176 Вт Монтаж на шасси SP2