Microsemi Corporation APTGF50DA120CT1G — IGBT Microsemi Corporation — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Microsemi APTGF50DA120CT1G

APTGF50DA120CT1G

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Microsemi APTGF50DA120CT1G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5691
  • Артикул: APTGF50DA120CT1G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ ДНЯО
Конфигурация Одинокий
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 75 А
Мощность - Макс. 312 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3,7 В @ 15 В, 50 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 250 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 3,45 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Да
Рабочая температура -
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи СП1
Поставщик пакета оборудования СП1
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT NPT, одиночный, 1200 В, 75 А, 312 Вт, монтаж на шасси SP1