Microsemi Corporation APTGT50DH120T3G — IGBT Microsemi Corporation — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Microsemi APTGT50DH120T3G

APTGT50DH120T3G

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Microsemi APTGT50DH120T3G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7872
  • Артикул: APTGT50DH120T3G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Асимметричный мост
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 75 А
Мощность - Макс. 277 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В @ 15 В, 50 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 250 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 3,6 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи SP3
Поставщик пакета оборудования SP3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT Trench Field Stop Асимметричный мост 1200 В 75 А 277 Вт Монтаж на шасси SP3