Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCABJ2-10Z: A TR
MT29E256G08CMCABJ2-10Z: A TR
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCABJ2-10Z: A TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 2369
- Sku: MT29E256G08CMCABJ2-10Z: A TR
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | NeleTUSHIй |
| Формат пэмаи | В.С. |
| Тела | Flash - nand |
| Raзmerpmayti | 256 Гит |
| Органихая | 32G x 8 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 100 мг |
| Верный | - |
| Napraheneee - posta | 2,7 В ~ 3,6 В. |
| Raboч -yemperatura | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 132-VBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 132-VBGA (12x18) |
| Baзowый nomer prodikta | MT29E256G08 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B1A |
| Htsus | 8542.32.0071 |
| Станодар | 1000 |
Flash - Nand Memory IC 256GBIT PARALLEL 100 MMGц 132 -VBGA (12x18)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p