Infineon Technologies IPSA70R360P7SAKMA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies IPSA70R360P7SAKMA1

ИПСА70Р360П7САКМА1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies IPSA70R360P7SAKMA1
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: ИПСА70Р360П7САКМА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.3000

Дополнительная цена:$1.3000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolMOS™ P7
Упаковка Трубка
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12,5 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 360 мОм при 3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 150 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16,4 НК при 400 В
ВГС (Макс) ±16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 517 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 59,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО251-3
Пакет/ключи ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА
Базовый номер продукта ИПСА70
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 75
N-канал 700 В 12,5 А (Tc) 59,5 Вт (Tc) Сквозное отверстие PG-TO251-3