Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | Алфамос |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 25a (ta), 28a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 2,5 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 3,3mohm @ 20a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 1,2- 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 50 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 12 В. |
Взёр. | 2250 pf @ 15 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 3,1 (ТА), 32 Вт (ТС) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN-EP (3x3) |
PakeT / KORPUES | 8-powervdfn |
Baзowый nomer prodikta | AON75 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 5000 |
N-kanal 30- 25а (Ta), 28a (tc) 3,1 st (ta), 32 vt (tc) powerхnoStnoe krereplenee 8-dfn-ep (3x3)