Infineon Technologies FZ1200R12HE4HOSA2 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FZ1200R12HE4HOSA2

FZ1200R12HE4HOSA2

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FZ1200R12HE4HOSA2
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: FZ1200R12HE4HOSA2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $637.5500

Дополнительная цена:$637.5500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд ИХМ-Б
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Одиночный переключатель
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1825 А
Мощность - Макс. 7150 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В @ 15 В, 1,2 кА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 74 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования -
Базовый номер продукта ФЗ1200
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2
Модуль IGBT Trench Field Stop Одиночный переключатель 1200 В 1825 А 7150 Вт Монтаж на шасси