GeneSiC Полупроводниковый GA50JT06-258

GA50JT06-258

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Полупроводниковый GA50JT06-258
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6366
Артикул: GA50JT06-258
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $625,7790

Дополнительная цена:$625,7790

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	-
Технология	SiC (карбидокремниевый переходной транзистор)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	-
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	25 мОм при 50 А
Vgs(th) (Макс) @ Id	-
ВГС (Макс)	-
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	769 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 225°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-258
Пакет/ключи	ТО-258-3, ТО-258АА
Базовый номер продукта	GA50JT06
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	1242-1253 гг.
Стандартный пакет	10

600 В 100 А (Тс) 769 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-258