Полупроводник GeneSiC GA20SICP12-247

GA20SICP12-247

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: Полупроводник GeneSiC GA20SICP12-247
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7656
Артикул: GA20SICP12-247
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Тип полярного транзистора	-
Технология	SiC (карбидокремниевый переходной транзистор)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	45А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	-
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	50 мОм при 20 А
Vgs(th) (Макс) @ Id	-
ВГС (Макс)	-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3091 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	282 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247АБ
Пакет/ключи	ТО-247-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	50

1200 В, 45 А (Тс) 282 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247АБ