Genesic Semiconductor GA20SICP12-247
GA20SICP12-247
- Проиджоделх: Genesnыйpoluprovovodonyk
- NoMerPOIзVODITELEL: Genesic Semiconductor GA20SICP12-247
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 7656
- Sku: GA20SICP12-247
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Genesnыйpoluprovovodonyk |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ФЕТ | - |
| Тела | Sic (kremnievый karbid -pereхodnnыйtranhystor) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 1200 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 45A (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | - |
| Rds on (max) @ id, vgs | 50mohm @ 20a |
| Vgs (th) (max) @ id | - |
| Vgs (mmaks) | - |
| Взёр. | 3091 PF @ 800 |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 282W (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-247AB |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 50 |
1200-45A (TC) 282W (TC) чereз oTwerStie-DO-247Ab
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740