Технология микрочипа APTGT75DH120T3G

APTGT75DH120T3G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APTGT75DH120T3G
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1956 год
Артикул: APTGT75DH120T3G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $90.1600

Дополнительная цена:$90.1600

Подробности

Параметры
Поставщик пакета оборудования	SP3
Базовый номер продукта	АПТГТ75
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Конфигурация	Асимметричный мост
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	110 А
Мощность - Макс.	357 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,1 В @ 15 В, 75 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	250 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	5,34 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ Термистор	Да
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	SP3

Модуль IGBT Trench Field Stop Асимметричный мост 1200 В 110 А 357 Вт Монтаж на шасси SP3